ГОСТ 21934-83 Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения (с Изменением N 1)

Термин

Буквенное обозначение

Определение

русское

междуна- родное

1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор

D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement

Е. Photosensitive semiconductor device

F. Dispositif semiconducteur photosensible

-

-

Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра

2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

ФЭПП

D. Halbleiterphotoelement

Е. Photoelectric semiconductor detector

F.

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике

3. Фотоприемное устройство

ФПУ

-

-

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию

ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ

4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоспектральный ФЭПП

D.

Е. Multi-band photodetector

F. plusieurs gammes

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности

5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Одноэлементный ФЭПП

D.

Е. Single-element detector

F.

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент

6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Многоэлементный ФЭПП

D.

Е. Multi-element detector

F. multiple

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного.

Примечание. Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Координатный ФЭПП

D. Ortsempfindlicher

Е. Position-sensitive detector

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности

8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Гетеродинный ФЭПП

D.

Е. Heterodyne detector

F.

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения

9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Иммерсионный ФЭПП

D.

Е. Immersed detector

F. immersion

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал

10. Фоторезистор

D. Photowiderstand

Е. Photoconductive cell

F. Cellule photoinductive

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости

11. Фотодиод

D. Photodiode

E. Photodiode

F. Photodiode

-

-

Полупроводниковый диод с переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект

12. фотодиод

D. Pin-Photodiode

E. Pin-Photodiode

F. Pin-Photodiode

-

-

Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной

13. Фотодиод с барьером Шоттки

D. Schottky-Photodiode

E. Schottky-Barrier-Photodiode

-

-

Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом

14. Фотодиод с гетеропереходом

D. Photodiode mit

E. Heterojunction photodiode

-

-

Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны.

Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны

15. Лавинный фотодиод

D. Lawinenphotodiode

E. Avalanche photodiode

F. Photodiode avalanche

-

-

Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле

16. Инжекционный фотодиод

D. Injektionsphotodiode

E. Injection photodiode

F. Photodiode d'injection

-

-

Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда

17. Фототранзистор

D. Phototransistor

E. Phototransistor

F. Phototransistor

-

-

Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект

18. Полевой фототранзистор

D. Photofeldeffekttransistor

E. Field effect phototransistor

F. Phototransistor effet de champ

-

-

Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора

19. Биполярный фототранзистор

D. Bipolarphototransistor

E. Bipolar phototransistor

F. Phototransistor bipolaire

-

-

Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора

20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

Охлаждаемый ФЭПП

D.

E. Cooled detector

F. refroidi

-

-

Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента

ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

21. Одноэлементное фотоприемное устройство

Одноэлементное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами

Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами

-

-

Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов

23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией

Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией

-

-

Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов

24. Многоспектральное фотоприемное устройство

Многоспектральное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор

Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки

26. Охлаждаемое фотоприемное устройство

Охлаждаемое ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения

27. Монолитное фотоприемное устройство

Монолитное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке

28. Гибридное фотоприемное устройство

Гибридное ФПУ

-

-

Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов

РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОФ

D. Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des

E. Background limited

F. photodetecteur infrarouge limite par Ie rayonnement ambiant

-

-

Условия, при которых обнаружительная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона

30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ОГ

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей

31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим ТГ

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией

32. Фотодиодный режим

D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle

Е. Back-biased mode of photovoltaic detector operation

F. de fonctionnement du photovoltaique au contretension de polarisation

-

-

Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении

33. Лавинный режим работы фотодиода

D. der Photodiode

Е. Avalanche mode of photodiode operation

-

-

Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода

34. Фотогальванический режим

D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle

Е. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation

F. de fonctionnement du photovoltaique

-

-

Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения

35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой

D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis

Е. Floating-base phototransistor operation

F. du phototransistor de basis flottante

-

-

Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе

36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим короткого замыкания ФЭПП

D. Kurzschlussbetrieb des

Е. Short-circuit mode of detector operation

F. Fonctionnement du court-circuit

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочном сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП

37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим холостого хода ФЭПП

D. Leerlaufbetrieb des

Е. Open-circuit mode of detector operation

F. Fonctionnement du circuit ouvert

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки

38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой

Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой

D. bei Anpassung

E. Matched impedance mode of detector operation

F. de fonctionnement du du resistance de charge

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП

39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП

D. bei

E. Heterodyne reception mode of detector operation

F. de fonctionnement du operation

-

-

Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала

КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА

40. Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Фоточувствительный элемент

D. Lichtempfindliches Element eines

E. Detector sensitive element

F. sensible du

-

-

Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения

41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Вывод ФЭПП

D.

E. Detector terminal

F. Branchement du

-

-

Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью

42. Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Контакт фоточувствительного элемента

-

-

Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом

43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Корпус ФЭПП

D.

E. Photodetector package

F. Boitier du

-

-

Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов

44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Иммерсионный элемент ФЭПП

D.

E. Detector optical immersion element

F. immersion du

-

-

Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения

45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Подложка ФЭПП

D. Schichttrager des

Е. Detector-film base

-

-

Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой

46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Входное окно ФЭПП

D.

Е. Detector window

F.

-

-

Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу

47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

Апертурная диафрагма ФЭПП

D. Aperturblende des

Е. Detector aperture stop

F. Diaphragme d'ouverture du

-

-

Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения

48. Выход фотоприемного устройства

-

-

Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью

ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП

49. Рабочее напряжение ФЭПП

D. Betriebsspannung

Е. Operating voltage

F. Tension de

Tension de service

Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе

50. Пробивное напряжение фотодиода

D. Durchbruchspannung einer Photodiode

Е. Breakdown voltage of a photodiode

F. Tension de claquage de photodiode

Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения

51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП

D. Maximal Spannung

Е. Maximum admissible voltage

F. Tension maximale admissible

Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе

52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП

D. Isolationsfestigkeit

Е. Insulating strength

F. d'isolement

Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции

53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП

D. Differentieller electrischer Widerstand

Е. Differential electrical resistance

F. differentielle

Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП

54. Статическое сопротивление ФЭПП

D. Statischer Widerstand

Е. Static resistance

F. statique

Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току

55. Темновое сопротивление ФЭПП

D. Dunkelwiderstand

Е. Dark resistance

F. Resistance

Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении

D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode

Е. Zero bias resistance of a photodiode

F. du point de photodiode

Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности*

57. Световое сопротивление ФЭПП

D. Hellwiderstand

Е. Resistance under illumination

F. sous

Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности

58. Темповой ток ФЭПП

D. Dunkelstrom

Е. Dark current

F. Courant

Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

59. Фототок ФЭПП

D. Photostrom

Е. Photocurrent

F. Photocourant

Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением.

Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП

60. Общий ток ФЭПП

D. Gesamtstrom

Е. Total current

F. Courant total

Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока

61. Напряжение фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalspannung

Е. Photoelectric signal voltage

F. Tension de signal

Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала.

Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке

62. Ток фотосигнала ФЭПП

D. Photosignalstrom

Е. Photoelectric signal current

F. Courant de signal

Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала

ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП**

63. Чувствительность ФЭПП

D. Ansprechempfindlichkeit

Е. Responsivity

F.

Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной

64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения

D.

Е. Radiant flux responsivity

F. au flux

-

65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку

D. Lichtstromempfindlichkeit

Е. Luminous flux responsivity

F. au flux lumineux

-

66. Чувствительность ФЭПП к облученности

D.

Е. Irradiance responsivity

F.

-

67. Чувствительность ФЭПП к освещенности

D.

Е. Illumination responsivity

F. lumineux

-

68. Токовая чувствительность ФЭПП

D. Stromempfindlichkeit

Е. Current responsivity

F. en courant

-

69. Вольтовая чувствительность ФЭПП

D. Spannungsempfindlichkeit

Е. Voltage responsivity

F. en tension

-

70. Интегральная чувствительность ФЭПП

D. Gesamtempfindlichkeit

Е. Total responsivity

F. globale

Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава

71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП

D. Monochromatische Empfindlichkeit

Е. Monochromatic responsivity

F. monochromatique

Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению

72. Статическая чувствительность ФЭПП

D. Statische Empfindlichkeit

Е. Static responsivity

F. statique

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП

D. Differentielle Empfindlichkeit

Е. Differential responsivity

F.

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения

74. Импульсная чувствительность ФЭПП

D. Impulsempfindlichkeit

Е. Pulse responsivity

F. d'impulsions

Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции

75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора

D. Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie

Е. Illuminance-resistance characteristique slope

F. Pente de

Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе

ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП

76. Ток шума ФЭПП

D. Rauschstrom

Е. Noise current

F. Courant de bruit

Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот

77. Напряжение шума ФЭПП

D. Rauschspannung

Е. Noise voltage

F. Tension de bruit

Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот

78. Порог чувствительности ФЭПП

Порог

D. Rauschleistung

Е. Noise equivalent power

F. Puissance au bruit

,

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения.

Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь

79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

Порог в единичной полосе частот

D. Rauschleistung im Einheitsfrequenzband

Е. Unit frequency bandwidth noise equivalent power

F. Puissance au bruit dans une bande passante des unitaire

Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения

80. Удельный порог чувствительности ФЭПП

Удельный порог

D. Spezifische Rauschleistung

Е. Specific noise equivalent power

F. Puissance au bruit

*

*

Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу

81. Обнаружительная способность ФЭПП

D.

R. Detectivity

F.

Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП

82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП

D. Spezifische

Е. Specific detectivity

F.

*

*

Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП

83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП

Е. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP)

F. Puissance au bruit du philra

Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры

ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ

84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП

D. der maximalen Spektralempfindlichkeit

Е. Peak spectral response wavelength

F. Longueur d'onde de la spectrale maximale

Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности

85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D. Kurzwellengrenze

Е. Short wavelength limit

Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП

D. Langwellengrenze

Е. Long wavelength limit

Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения

87. Область спектральной чувствительности ФЭПП

D. Spektraler Empfindlichkeitsbereich

Е. Spectral sensitivity range

F. Part sensible spectral

Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения

ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП

D.  des Fuhlelements

Е. Effective area of the responsive element

F. Aire efficace de

Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувстительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП.

Примечание. Определяется соотношением

,

где - чувствительность к потоку при облучении фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами ;

- площадь этого фоточувствительного элемента.

В качестве номинального значения локальной чувствительности , как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке, ). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора оговаривается дополнительно

89. Плоский угол зрения ФЭПП

D. Gesichtsfeldwinkel

Е. Angular field of view

F. Angle d'ouverture

Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня

90. Эффективное поле зрения ФЭПП

D. Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel

Е. Effective weighted solid angle

F. Angle solide efficace

Телесный угол, определяемый соотношением

где - напряжение фотосигнала ФЭПП; допускается замена параметра на , ;

- угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу;

- азимутальный угол

ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП

91. Время нарастания ФЭПП

Время нарастания

D. Anstiegszeit der normierten

Е. Rise time of the normalized transfer characteristic

F. Temps de de transmission

Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

92. Время спада ФЭПП

Время спада

D. Abfallzeit der normierter

Е. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic

F. Temps de descente de de transmission inverse

Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно

93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню

Время установления

D. Einstellzeit der normierten

Е. Set-up time of the normalized transfer characteristic

F. Temps de transmission

-

Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики от установившегося значения не превышает :

при

94. Предельная частота ФЭПП

D. Grenzfrequenz

Е. Cut-off frequency

F. de coupure

Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении

95. Емкость ФЭПП

D.

Е. Capacitance

F.

-

96. Последовательное сопротивление фотодиода

D. Reihenwiderstand einer Photodiode

Е. Series resistance

F.

Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода

ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП

97. Число элементов ФЭПП

D.

Е. Element number

F. Nombre des

-

-

98. Шаг элементов ФЭПП

D. Rastermass

Е. Pitch

F. Ecartement

Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП

99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП

D.

Е. Element spacing

F. Espacement des

Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП

100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП

D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor

Е. Photoelectric coupling coefficient

F. Coefficient de couplage

Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики

101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП

D. Parameterstreuung

Е. Figure ol merit straggling

F. Dispersion de figure de

Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра.

Примечание. В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра

ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ***

102. Напряжение на коллекторе фототранзистора

D. Kollektorspannung

Е. Collector voltage

F. Tension du collecteur

Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

103. Напряжение на эмиттере фототранзистора

D. Emitterspannung

Е. Emitter voltage

F. Tension

Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

104. Напряжение на базе фототранзистора

D. Basisspannung

Е. Base voltage

F. Tension de base

Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора

105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

Е. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage de phototransistor

Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors

Е. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage collecteur-base de phototransistor

Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors

Е. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage de pbototransistor

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors

Е. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor

F. Tension de claquage de phototransistor

Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

109. Темновой ток коллектора фототранзистора

D. Kollektordunkelstrom

Е. Collector dark current

F. Courant du collecteur

, ,

, ,

-

110. Темновой ток эмиттера фототранзистора

D. Emitterdunkelstrom

Е. Emitter dark current

F. Courant

, ,  

, ,

-

111. Темновой ток базы фототранзистора

D. Basisdunkelstrom

Е. Base dark current

F. Courant de base

, ,  

, ,

-

112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors

Е. Collector-emitter dark current of a phototransistor

F. Courant de phototransistor

Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Collector-base dark current of a phototransistor

F. Courant collecteur-base de phototransistor

Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора

D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-base dark current of a phototransistor

F. Courant de phototransistor

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора

D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors

E. Emitter-collector dark current of a phototransistor

F. Courant de phototransistor

Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности*

116. Фототок коллектора фототранзистора

D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors

E. Collector photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant du collecteur de phototransistor

, ,

, ,

-

117. Фототок эмиттера фототранзистора

D. Emitterphotostrom eines Phototransistors

E. Emitter photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant d'emetteur de phototransistor

, ,

, ,

-

118. Фототок базы фототранзистора

D. Basisfotostrom eines Phototransistors

E. Base photocurrent of a phototransistor

F. Photocourant de base de phototransistor

, ,

, ,

-

119. Общий ток коллектора фототранзистора

D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector total current of a phototransistor

F. Courant total du collecteur de phototransistor

, ,

, ,

-

120. Общий ток эмиттера фототранзистора

D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors

E. Emitter total current of a phototransistor

F. Courant total de phototransistor

, ,

, ,

-

121. Общий ток базы фототранзистора

D. Basisgesamtstrom eines Phototransistors

E. Base total current of a phototransistor

F. Courant total de base de phototransistor

, ,

, ,

-

122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора

D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines

Phototransistors

E. Collector-emitter total current of a phototransistor

F. Courant total de phototransistor

Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

123. Общий ток коллектор-база фототранзистора

D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors

E. Collector-base total current of a phototransistor

F. Courant total collecteur-base de phototransistor

Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением

124. Токовая чувствительность фототранзистора

D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors

E. Current responsivity of the phototransistor

F. en courant du phototransistor

, ,

-

Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току

125. Вольтовая чувствительность фототранзистора

D. Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors

E. Voltage responsivity of the phototransistor

F. en tension du phototransistor

, ,

-

Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току

126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора

D.

E. Photocurrent gain factor

F. Gain de photocourant

-

Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме

ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ

127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода

-

Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения

128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

-

Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения

129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода

-

Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения

130. Нулевая точка координатного фотодиода

Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю

131. Выходное сопротивление координатного фотодиода

Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения

ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ

132. Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода

D. der Lawinenphotodiode

Е. Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode

F. Facteur de multiplication de courant de photodiode avalanche

Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях

133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода

D. Photostromvervielfachungsfaktor

Е. Photocurrent multiplication factor

F. Facteur de multiplication de photocourant

Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях.

Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения

134. Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода

D. Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung

Е. Operating voltage constant keeping accuracy

Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент

умножения фототока изменяется в заданных пределах

135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода

D. Temperaturkoeffizient der Betribsspannung

Е. Operating voltage temperature coefficient

F. Coefficient de temprature de tension de

Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре.

Примечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический температурный коэффициент рабочего напряжения

ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ

136. Коэффициент усиления инжекционного фотодиода

D. der Injectionsphotodiode

E. Injection photodiode gain

F. Gain de photodiode injection

-

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме

137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода

D. Relativer

E. Relative gain

F. Gain relatif

-

Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне.

Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений

ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП

138. Рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Gesamtverlustleistung

E. Total power dissipation

F. Dissipation totale de puissance

Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения

139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП

D. Maximal Verlustleistung

E. Maximum admissible power dissipation

F. Puissance maximale admissible

Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе

140. Критическая мощность излучения для ФЭПП

-

Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня

141. Динамический диапазон ФЭПП

D. Dynamischer Bereich

E. Dynamic range

F. Gamme dynamique

-

Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот.

Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня

142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу

D. der Empfindlichkeit

E. Spacing response non-uniformity

F.

-

Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП , измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности

143. Нестабильность сопротивления ФЭПП

D. des Widerstandes

E. Resistance unstability coefficient

F. Coefficient de  de

-

Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению

144. Нестабильность темнового тока ФЭПП

D. des Dunkelstromes

E. Dark current unstability coefficient

F. Coefficient de  du courant

-

Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению:

145. Нестабильность чувствительности ФЭПП

D. der Empfindlichkeit

E. Response unstability coefficient

F. Coefficient de de la

-

Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению

146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП

D. Temperaturkoeffizient des Photostromes

E. Photocurrent-temperature coefficient

F. Coefficient de du photocourant

-

Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности)

147. Световая нестабильность ФЭПП

D.

E. Light unstability

F. lumineuse

-

Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении

148. Температура выхода на режим оптической генерации

-

149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП

E. Cooldown time

Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня

150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП

D. Betriebszeit

E. Independent operating time

F. autonome

Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня

СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Spektrale Empfindlichkeit

E. Spectral sensitivity

F. spectrale

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения

152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie

E. Absolute spectral-response characteristic

F. spectrale absolue

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения

153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie

Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения

ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП

D. Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Current-voltage characteristic

F.  couranttension

Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора

D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Input current-voltage characteristic

F. couranttension

Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения

156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора

D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie

E. Output current-voltage characteristic

F. couranttension de sortie

Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения

157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП

D. der Empfindlichkeit

E. Bias voltage response characteristic

Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения

158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП

D. des Rauschstromes

E. Bias noise current characteristic

Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП

D. der Rauschspannung

E. Bias noise voltage characteristic

Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП

160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. der

E. Bias detectivity characteristic

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему

161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода

D. des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode

E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode

,

,

Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему

ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ

162. Энергетическая характеристика фототока ФЭПП

D. des Photostroms von dem Strahlungsfluss

E. Photocurrent-radiant flux characteristic

Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП

163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП

D. der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss

E. Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic

Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП

164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора

D. des statischen Widerstands

E. Radiant power-static resistance characteristic

Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор

165. Люксомическая характеристика фоторезистора

D. des inneren Widerstands von der

E. Resistance-Illuminance characteristic

,

Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор

166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП

D. des Photostroms von der

E. Photocurrent-Illuminance characteristic

Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП

167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора

,

-

Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора

-

Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе

ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Frequenzgang der Empfindlichkeit

E. Frequency response characteristic

F. de la

Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

170. Спектр тока шума ФЭПП

D. Rauschstromspektrum

Е. Noise current spectrum

F. Spectre du courant de bruit

Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам

171. Спектр напряжения шума ФЭПП

D. Rauschspannungsspektrum

Е. Noise voltage spectrum

F. Spectre de la tension de bruit

Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам

172. Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

Е. Specific detectivity frequency dependence

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения

ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП

D. des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss

Е. Resistance under illumination-background radiant flux characteristic

,

Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП

D. der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss

Е. Responsivity-background radiant flux characteristic

Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП

D. des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss

Е. Noise current-background radiant flux characteristic

Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП

D. der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss

Е. Noise voltage-background radiant flux characteristic

Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D. der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung

Е. NEP-background radiant flux characteristic

-

Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона

178. Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. der spezifischen von dem Hintergrundstrahlungsfluss

Е. Specific detectivity-background radiant flux characteristic

Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона

ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Hellwiderstands

Е. Resistance under illumination-temperature characteristic

,

-

180. Температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Dunkelwider-stands

Е. Dark resistance-temperature characteristic

-

-

181. Температурная характеристика темнового тока ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Dunkelstroms

Е. Dark current-temperature characteristic

-

182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП

D. Temperaturverlauf der Empfindlichkeit

Е. Responsivity-temperature characteristic

-

183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП

D. Temperaturverlauf des Rauschstroms

Е. Noise current-temperature characteristic

-

184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП

D. Temperaturverlauf der Rauschspannung

Е. Noise voltage-temperature characteristic

-

185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот

D. Temperaturverlauf der Rauschleistung im Einheitsfrequenzhand

Е. NEP-temperature characteristic

-

-

186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП

D. Temperaturverlauf der spezifischen

Е. Specific detectivity-temperature characteristic

-

187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода

D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift

Е. Zero drift-temperature characteristic

Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры

ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП

188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП

D. Normierte

Е. Normalized transfer charakteristic

F.  de transmission

-

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени.

Примечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением

В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид:

189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП

D. Normierte

Е. Normalized inverse transfer characteristic

F. de transmission inverse

-

Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения.

Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением

190. Координатная характеристика координатного фотодиода

-

Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода

191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода

Дрейф нуля

D. Nullpunktdrift

Е. Zero drift

Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени

192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП

D.

Е. Responsivity surface distribution

F. Distribution superficielle de la

Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе

193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП

D. Empfindlichkeitswinkelverteilung

Е. Responsivity directional distribution

F. Distribution directionnelle de la

Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента