ГОСТ 19480-89
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров
Integrated circuits. Terms, definitions and letter symbols of electrical parameters
МКС 01.040.31
31.200
ОКСТУ 6301
Дата введения 1991-01-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Министерством электронной промышленности СССР
РАЗРАБОТЧИКИ
Л.Р.Хворостьян, В.Ф.Марушкин, Е.Ф.Мещанкин, Ю.В.Назаров, Л.С.Жирякова
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета СССР по управлению качеством продукции и стандартам от 21.12.89 N 3960
3. Стандарт соответствует Публикациям МЭК 748-1, МЭК 748-2, МЭК 748-3 в части терминов, определений и буквенных обозначений параметров и СТ СЭВ 1817-88, СТ СЭВ 4755-84, СТ СЭВ 4756-84
4. ВЗАМЕН ГОСТ 19480-74
5. ПЕРЕИЗДАНИЕ
Настоящий стандарт устанавливает термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров интегральных микросхем.
Термины и буквенные обозначения, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу работ по стандартизации или использующих результаты этих работ.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации, предназначенной для экспортных поставок.
1. Стандартизованные термины с определениями и буквенные обозначения приведены в табл.1.
2. Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.
Применение терминов-синонимов стандартизованного термина не допускается. Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в табл.1 в качестве справочных и обозначены пометой "Ндп".
2.1. Для отдельных стандартизованных терминов в табл.1 приведены в качестве справочных краткие формы, которые разрешается применять в случаях, исключающих возможность их различного толкования.
2.2. Приведенные определения можно, при необходимости, изменять, вводя в них производные признаки, раскрывая значения используемых в них терминов, указывая объекты, входящие в объем определяемого понятия. Изменения не должны нарушать объем и содержание понятий, определенных в настоящем стандарте.
2.3. В случаях, когда в термине содержатся все необходимые и достаточные признаки понятия, определение не приведено и в графе "Определение" поставлен прочерк.
2.4. В табл.1 в качестве справочных приведены иноязычные эквиваленты для ряда стандартизованных терминов на английском (Е) и французском (F) языках.
3. Алфавитные указатели содержащихся в стандарте терминов на русском языке и их иноязычных эквивалентов приведены в табл.2-4.
4. Методика образования буквенных обозначений производных параметров приведена в приложении.
5. Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткая форма - светлым, а недопустимые синонимы - курсивом.
Таблица 1
Термин | Буквенное обозначение | Определение | |
отечест- | междуна- | ||
ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ | |||
1. Параметр интегральной микросхемы Параметр | Величина, характеризующая свойства или режимы работы интегральной микросхемы | ||
2. Номинальное значение параметра интегральной микросхемы Номинальное значение параметра | Значение параметра интегральной микросхемы, заданное в нормативно-технической документации и являющееся исходным для отсчета отклонений | ||
3. Диапазон значений параметра интегральной микросхемы Диапазон значений параметра | - | Область, в которую укладываются значения параметров всех интегральных микросхем данного типа или партии однотипных интегральных микросхем при заданном уровне доверительной вероятности | |
4. Допустимый диапазон значений параметра интегральной микросхемы Допустимый диапазон значений параметра | - | Разброс значений параметра интегральной микросхемы, указанной в нормативно-технической документации | |
5. Отклонение параметра интегральной микросхемы Отклонение параметра | - | Разность между действительным значением параметра интегральной микросхемы и его номинальным значением | |
6. Относительное отклонение параметра интегральной микросхемы Относительное отклонение параметра |
| - | Отношение отклонения параметра интегральной микросхемы к его номинальному значению |
7. Напряжение (ток) управления интегральной микросхемы Напряжение (ток) управления | - | Напряжение (ток), управляющее функциональным назначением интегральной микросхемы | |
8. Температурный коэффициент параметра интегральной микросхемы Температурный коэффициент параметра | Отношение изменения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды | ||
9. Нестабильность параметра интегральной микросхемы Нестабильность параметра |
| - | Отношение относительного отклонения параметра интегральной микросхемы к вызвавшему его дистабилизирующему фактору |
10. Максимальное значение параметра интегральной микросхемы Максимальное значение параметра | Наибольшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям | ||
11. Минимальное значение параметра интегральной микросхемы Минимальное значение параметра | Наименьшее значение параметра интегральной микросхемы, при котором заданные параметры соответствуют заданным значениям | ||
ПАРАМЕТРЫ, ОБЩИЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ И АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
12. Напряжение питания интегральной микросхемы Напряжение питания | Значение напряжения на выводах питания интегральной микросхемы | ||
13. Входное напряжение интегральной микросхемы Входное напряжение | Напряжение на входе интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
14. Выходное напряжение интегральной микросхемы Выходное напряжение | Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
15. Напряжение срабатывания интегральной микросхемы Напряжение срабатывания |
| Наименьшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | |
16. Напряжение отпускания интегральной микросхемы Напряжение отпускания |
| Наибольшее постоянное напряжение на входе, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | |
17. Входной ток интегральной микросхемы Входной ток | Ток, протекающий во входной цепи интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
18. Выходной ток интегральной микросхемы Выходной ток | Ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
19. Ток утечки интегральной микросхемы Ток утечки | Ток в цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии цепи и заданных режимах на остальных выводах | ||
20. Ток потребления интегральной микросхемы Ток потребления | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источников питания в заданном режиме | ||
21. Ток короткого замыкания интегральной микросхемы Ток короткого замыкания E. Short-circuit current F. Courant de court-circuit | Выходной ток интегральной микросхемы при закороченном выходе | ||
22. Потребляемая мощность интегральной микросхемы Потребляемая мощность | Мощность, потребляемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме, от соответствующего источника питания | ||
23. Рассеиваемая мощность интегральной микросхемы Рассеиваемая мощность | Мощность, рассеиваемая интегральной микросхемой, работающей в заданном режиме | ||
24. Входное сопротивление интегральной микросхемы Входное сопротивление | Отношение приращения входного напряжения интегральной микросхемы к приращению активной составляющей входного тока при заданной частоте сигнала | ||
25. Выходное сопротивление интегральной микросхемы Выходное сопротивление | Отношение приращения выходного напряжения интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению активной составляющей выходного тока при заданной частоте сигнала | ||
26. Сопротивление нагрузки интегральной микросхемы Сопротивление нагрузки | Суммарное активное сопротивление внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы | ||
27. Входная емкость интегральной микросхемы Входная емкость | Отношение емкостной реактивной составляющей входного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального входного напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты | ||
28. Выходная емкость интегральной микросхемы Выходная емкость | Отношение емкостной реактивной составляющей выходного тока интегральной микросхемы к произведению синусоидального выходного напряжения, вызванного этим током, и его круговой частоты | ||
29. Емкость нагрузки интегральной микросхемы Емкость нагрузки | Суммарная емкость внешних цепей, подключенных к выходу интегральной микросхемы | ||
30. Время нарастания сигнала интегральной микросхемы Время нарастания сигнала Е. Rise time G. Temps de croissance | Интервал времени нарастания сигнала от уровня 0,1 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала | ||
31. Время спада сигнала интегральной микросхемы Время спада сигнала E. Fall time F. Temps de decroissance | Интервал времени спада сигнала от уровня 0,9 до момента, когда выходной сигнал интегральной микросхемы впервые достигнет заданного значения, близкого к его окончательному значению при ступенчатом изменении уровня входного сигнала | ||
32. Длительность фронта входного сигнала интегральной микросхемы Длительность фронта входного сигнала | - | Интервал времени нарастания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,1 до уровня 0,9 номинального значения | |
33. Длительность спада входного сигнала интегральной микросхемы Длительность спада входного сигнала | - | Интервал времени убывания амплитуды импульса входного сигнала интегральной микросхемы от уровня 0,9 до уровня 0,1 номинального значения | |
34. Чувствительность интегральной микросхемы Чувствительность | - | Наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной микросхемы соответствуют заданным значениям | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
35. Входное напряжение покоя интегральной микросхемы Входное напряжение покоя | Постоянное напряжение на входе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом | ||
36. Выходное напряжение покоя интегральной микросхемы Выходное напряжение покоя |
| Постоянное напряжение на выходе интегральной микросхемы с невключенным входом или с нулевым входным сигналом | |
37. Коммутируемое напряжение интегральной микросхемы Напряжение коммутируемое | Напряжение, подаваемое на вход коммутирующего элемента интегральной микросхемы | ||
38. Напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Напряжение смещения нуля E. Input offset voltage F. Tension de | Постоянное напряжение, которое должно быть приложено ко входу интегральной микросхемы, чтобы выходное напряжение было равно нулю или другому заданному значению | ||
39. Напряжение шума на выходе интегральной микросхемы Напряжение шума на выходе E. Output noise voltage F. Tension de bruit en sortie |
| Напряжение собственного шума на выходе интегральной микросхемы | |
40. Приведенное ко входу напряжение шума интегральной микросхемы Приведенное ко входу напряжение шума | Отношение напряжения собственного шума на выходе интегральной микросхемы при заданных условиях к коэффициенту усиления напряжения | ||
41. Синфазные входные напряжения интегральной микросхемы Синфазные входные напряжения |
| Напряжения между каждым из входов интегральной микросхемы и общим выводом, амплитуды, фазы и временное распределение которых совпадают | |
42. Входное напряжение ограничения интегральной микросхемы Входное напряжение ограничения |
| Наименьшее значение входного напряжения интегральной микросхемы, при котором отклонение от линейности выходного напряжения превышает установленную величину | |
43. Остаточное напряжение интегральной микросхемы Остаточное напряжение | Напряжение между входом и выходом интегральной микросхемы при включенном канале и заданном значении коммутируемого тока | ||
44. Разность входных токов интегральной микросхемы Разность входных токов | Разность значений токов, протекающих через дифференциальный вход интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
45. Средний входной ток интегральной микросхемы Средний входной ток | Среднеквадратическое значение входных токов интегральной микросхемы | ||
46. Коммутируемый ток интегральной микросхемы Коммутируемый ток | Ток, протекающий через коммутирующий элемент интегральной микросхемы в замкнутом состоянии ключа | ||
47. Выходная мощность интегральной микросхемы Выходная мощность | Мощность, выделяемая на нагрузке интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
48. Нижняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Нижняя граничная частота полосы пропускания | Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте | ||
49. Верхняя граничная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Верхняя граничная частота полосы пропускания | Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте | ||
50. Частота коммутации интегральной микросхемы Частота коммутации | Частота, с которой интегральная микросхема коммутирует ток | ||
51. Центральная частота полосы пропускания интегральной микросхемы Центральная частота полосы пропускания | Частота, равная полусумме нижней и верхней граничных частот полосы пропускания интегральной микросхемы | ||
52. Полоса пропускания интегральной микросхемы Полоса пропускания | Диапазон частот, в пределах которого коэффициент усиления интегральной микросхемы не падает ниже 3 дБ по сравнению с усилением на заданной частоте внутри этого диапазона | ||
53. Полоса задерживания интегральной микросхемы Полоса задерживания | Диапазон частот между верхней и нижней частотами полосы задерживания интегральной микросхемы | ||
54. Нижняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы Нижняя частота полосы задерживания | Наименьшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте | ||
55. Верхняя частота полосы задерживания интегральной микросхемы Верхняя частота полосы задерживания | Наибольшее значение частоты, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы уменьшается в заданное число раз от значения на заданной частоте | ||
56. Частота единичного усиления интегральной микросхемы Частота единичного усиления Ндп. Полоса единичного усиления E. Frequency of unity (open loop) amplification F. | Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи равен единице | ||
57. Частота входного сигнала интегральной микросхемы Частота входного сигнала | Частота, на которой производят измерение параметров интегральной микросхемы или ее эксплуатацию | ||
58. Частота генерирования интегральной микросхемы Частота генерирования | - | ||
59. Время успокоения интегральной микросхемы Время успокоения E. Ripple time F. Temps de vacillement | Интервал времени с момента достижения выходным напряжением интегральной микросхемы уровня 0,9 до момента последнего пересечения выходным напряжением заданного уровня | ||
60. Время задержки импульса интегральной микросхемы Время задержки E. Delay time F. Temps de | Интервал времени между нарастаниями входного и выходного импульсов интегральной микросхемы, измеренный на уровне 0,1 или на заданном уровне напряжения или тока | ||
61. Коэффициент усиления напряжения интегральной микросхемы Коэффициент усиления напряжения | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к входному напряжению | ||
62. Коэффициент усиления тока интегральной микросхемы Коэффициент усиления тока | Отношение выходного тока интегральной микросхемы к входному току | ||
63. Коэффициент усиления мощности интегральной микросхемы Коэффициент усиления мощности | Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к входной мощности | ||
64. Коэффициент усиления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент усиления синфазных входных напряжений E. Common-mode voltage amplification F. Amplification en tension en mode commun | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы к синфазному входному напряжению | ||
65. Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений интегральной микросхемы Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений E. Common-mode rejection ratio F. Taux de |
|
| Отношение коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к коэффициенту усиления синфазных входных напряжений |
66. Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля интегральной микросхемы Коэффициент влияния нестабильности источников питания на напряжение смещения нуля |
|
| Отношение приращения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его приращению напряжения источника питания |
67. Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент усиления дифференциального сигнала по напряжению E. Differential-mode voltage amplification F. Amplification en tension en mode |
| Отношение изменения значения выходного напряжения интегральной микросхемы к изменению значения напряжения на дифференциальном входе в заданном режиме | |
68. Коэффициент гармоник интегральной микросхемы Коэффициент гармоник | Отношение среднеквадратического напряжения суммы всех, кроме первой, гармоник сигнала интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению суммы всех гармоник | ||
69. Диапазон автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Диапазон АРУ | Отношение наибольшего значения коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы к наименьшему его значению при изменении входного напряжения в заданных пределах | ||
70. Скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Скорость нарастания выходного напряжения Ндп. Скорость отслеживания |
|
| Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса напряжения прямоугольной формы |
71. Коэффициент прямоугольности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент прямоугольности АЧХ | - | Отношение полосы частот интегральной микросхемы на уровне 0,01 или 0,001 к полосе пропускания на уровне 0,7 | |
72. Коэффициент пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент пульсаций | - | Отношение амплитудного значения напряжения пульсаций интегральной микросхемы к значению постоянной составляющей напряжения | |
73. Коэффициент умножения частоты интегральной микросхемы Коэффициент умножения частоты |
| - | Отношение частоты выходного сигнала интегральной микросхемы к частоте входного сигнала |
74. Коэффициент деления частоты интегральной микросхемы Коэффициент деления частоты |
| - | Отношение частоты входного сигнала интегральной микросхемы к частоте выходного сигнала |
75. Крутизна преобразования интегральной микросхемы Крутизна преобразования | - | Отношение выходного тока смесителя к вызвавшему его приращению входного напряжения при заданном напряжении гетеродина интегральной микросхемы | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ОПЕРАЦИОННЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ И КОМПАРАТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ | |||
76. Максимальное выходное напряжение интегральной микросхемы Максимальное выходное напряжение |
|
| Выходное напряжение интегральной микросхемы при заданном сопротивлении нагрузки и напряжении входного сигнала, когда его приращение не вызывает приращения выходного напряжения |
77. Напряжение шума интегральной микросхемы Напряжение шума | Напряжение на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при входном напряжении, равном нулю | ||
78. Эффективное напряжение шума интегральной микросхемы Эффективное напряжение шума |
| Отношение шума на выходе, выраженного в эффективных значениях напряжения в заданной полосе частот, к коэффициенту усиления интегральной микросхемы | |
79. Размах шума интегральной микросхемы Размах шума | Разность между максимальными значениями пиков шума противоположного знака в заданной полосе частот на выходе интегральной микросхемы, повторяющихся в заданном интервале времени при входном напряжении, равном нулю | ||
80. Нормированная электродвижущая сила шума интегральной микросхемы Нормированная ЭДС шума | Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов, сопротивление которых стремится к нулю, к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума | ||
81. Нормированный ток шума интегральной микросхемы Нормированный ток шума | Отношение напряжения шума на выходе интегральной микросхемы в заданной полосе частот при включении между общим выводом и выводами входов резисторов заданного сопротивления к произведению коэффициента усиления на квадратный корень из полосы измеряемого шума | ||
82. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения интегральной микросхемы Максимальная скорость нарастания выходного напряжения |
| Отношение изменения выходного напряжения с уровня 0,1 до уровня 0,9 к времени его нарастания при воздействии на вход интегральной микросхемы импульса прямоугольной формы максимального входного напряжения | |
83. Частота среза интегральной микросхемы Частота среза E. Open-loop cut-off frequency F. | Частота, на которой модуль коэффициента усиления напряжения интегральной микросхемы при разомкнутой цепи обратной связи уменьшается до 0,707 значения на заданной частоте | ||
84. Частота полной мощности интегральной микросхемы Частота полной мощности | Частота, на которой значение максимального выходного напряжения интегральной микросхемы уменьшается на 3 дБ от значения на заданной частоте | ||
85. Время успокоения выходного напряжения интегральной микросхемы Время успокоения выходного напряжения | Время с момента достижения входным импульсом прямоугольной формы уровня 0,5 до момента последнего пересечения выходным напряжением интегральной микросхемы заданной величины | ||
86. Коэффициент разделения каналов интегральной микросхемы Коэффициент разделения каналов | Отношение выходного напряжения интегральной микросхемы с сигналом на входе к выходному напряжению интегральной микросхемы при отсутствии входного сигнала | ||
87. Временной коэффициент входного тока интегральной микросхемы Временной коэффициент входного тока |
| Отношение изменения входного тока интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени | |
88. Временной коэффициент разности входных токов интегральной микросхемы Временной коэффициент разности входных токов | Отношение изменения разности входных токов интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени | ||
89. Временной коэффициент напряжения смещения нуля интегральной микросхемы Временной коэффициент напряжения смещения нуля | Отношение изменения напряжения смещения нуля интегральной микросхемы к вызвавшему его изменению времени | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ АНАЛОГОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ НИЗКОЙ, ПРОМЕЖУТОЧНОЙ И ВЫСОКОЙ ЧАСТОТЫ | |||
90. Диапазон входных напряжений интегральной микросхемы Диапазон входных напряжений E. Input voltage operating range F. Domaine de fonctionnement de la tension | Интервал значений входного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального | ||
91. Напряжение автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Напряжение АРУ |
| Напряжение на регулирующем входе интегральной микросхемы, обеспечивающее регулировку коэффициента усиления в заданных пределах | |
92. Напряжение задержки автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Напряжение задержки АРУ |
|
| Наибольшее абсолютное значение напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы, при котором ее коэффициент усиления остается неизменным |
93. Напряжение пульсаций источника питания интегральной микросхемы Напряжение пульсаций источника питания | Значение переменной составляющей напряжения источника питания на выводах питания интегральной микросхемы | ||
94. Ток автоматической регулировки усиления интегральной микросхемы Ток АРУ | Ток, протекающий через регулирующий вход интегральной микросхемы и обеспечивающий регулировку коэффициента усиления в заданных пределах | ||
95. Частота резонанса интегральной микросхемы Частота резонанса | Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает максимальное значение | ||
96. Частота квазирезонанса интегральной микросхемы Частота квазирезонанса | - | Частота, на которой коэффициент усиления интегральной микросхемы принимает минимальное значение | |
97. Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) интегральной микросхемы Диапазон регулировки коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) |
| Отношение максимального значения коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) к минимальному значению коэффициента усиления напряжения (тока, мощности) при воздействии на интегральную микросхему управляющего электрического сигнала | |
98. Динамический диапазон по напряжению интегральной микросхемы Динамический диапазон по напряжению |
|
| Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению выходного напряжения |
99. Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент нелинейности амплитудной характеристики |
| Наибольшее отклонение значения крутизны амплитудной характеристики интегральной микросхемы относительно значения крутизны амплитудной характеристики, изменяющейся по линейному закону | |
100. Коэффициент неравномерности амплитудно-частотной характеристики интегральной микросхемы Коэффициент неравномерности АЧХ |
| Отношение максимального значения выходного напряжения интегральной микросхемы к минимальному значению в заданном диапазоне частот полосы пропускания, выраженное в децибелах | |
101. Коэффициент шума интегральной микросхемы Коэффициент шума | Отношение среднеквадратического напряжения шумов на выходе интегральной микросхемы к среднеквадратическому напряжению шума источника входного сигнала в заданной полосе частот | ||
102. Коэффициент интермодуляционных искажений интегральной микросхемы Коэффициент интермодуляционных искажений | Отношение среднеквадратической амплитуды колебаний боковых частот к амплитуде высокочастотного колебания на выходе интегральной микросхемы, выраженное в процентах | ||
103. Коэффициент полезного действия интегральной микросхемы Коэффициент полезного действия | Отношение выходной мощности интегральной микросхемы к потребляемой мощности | ||
104. Крутизна проходной характеристики интегральной микросхемы Крутизна проходной характеристики | Отношение выходного тока к вызвавшему его входному напряжению в заданном электрическом режиме интегральной микросхемы | ||
105. Отношение сигнал/шум интегральной микросхемы Отношение сигнал/шум | Отношение эффективного значения выходного напряжения интегральной микросхемы, содержащего только низкочастотные составляющие, соответствующие частотам модулирующего напряжения, к эффективному значению выходного напряжения при немодулированном сигнале в определенной полосе частот | ||
106. Фазовый сдвиг интегральной микросхемы Фазовый сдвиг Ндп. Сдвиг фаз | Разность между фазами выходного и входного сигналов интегральной микросхемы на заданной частоте | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
107. Диапазон выходных напряжений интегральной микросхемы Диапазон выходных напряжений E. Output voltage operating range F. Domaine de fonctionnement de la tension de sortie |
|
| Интервал значений выходного напряжения интегральной микросхемы от минимального значения до максимального, при котором электрические параметры не выходят за установленные нормы |
108. Напряжение считывания обратной связи интегральной микросхемы Напряжение считывания обратной связи E. Feedback sense voltage F. Tension de lecture de | - | Напряжение, являющееся функцией выходного напряжения и используемое с внешними элементами или без них для управления обратной связью интегральной микросхемы | |
109. Опорное напряжение интегральной микросхемы Опорное напряжение E. Reference voltage F. Tension de | Напряжение, с которым сравнивается напряжение считывания обратной связи в целях контроля за интегральной микросхемой | ||
110. Падение напряжения на интегральной микросхеме Падение напряжения | - | Разность между входным и выходным напряжением интегральной микросхемы в заданном режиме | |
111. Минимальное падение напряжения на интегральной микросхеме Минимальное падение напряжения |
| - | Наименьшее значение падения напряжения на интегральной микросхеме, при котором параметр интегральной микросхемы удовлетворяет заданным требованиям |
112. Ток холостого хода интегральной микросхемы Ток холостого хода | Ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе | ||
113. Время готовности интегральной микросхемы Время готовности | Интервал времени от момента подачи входного напряжения до момента, после которого параметры интегральной микросхемы удовлетворяют заданным требованиям | ||
114. Время восстановления по напряжению интегральной микросхемы Время восстановления по напряжению E. Input transient voltage recovery time F. Temps de recouvrement de la tension transitoire | Интервал времени от момента ступенчатого изменения входного напряжения интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащий в себе конечное значение | ||
115. Время восстановления по току интегральной микросхемы Время восстановления по току E. Input transient curtent recovery time F. Temps de recouvrement du courant transitoire | Интервал времени от момента ступенчатого изменения выходного тока интегральной микросхемы до момента, когда значение выходного напряжения в последний раз входит в заданный интервал выходных напряжений, содержащих в себе конечное значение | ||
116. Взаимная нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Взаимная нестабильность по напряжению |
|
| Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении входного или выходного напряжения на другом канале, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов |
117. Взаимная нестабильность по току интегральной микросхемы Взаимная нестабильность по току |
|
| Относительное изменение значения выходного напряжения одного канала многоканальной интегральной микросхемы при изменении выходного тока на другом канале, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов |
118. Нестабильность по напряжению интегральной микросхемы Нестабильность по напряжению |
| Относительное изменение значения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы при изменении входного напряжения, приведенное к 1 В изменения входного напряжения, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | |
119. Нестабильность по току интегральной микросхемы Нестабильность по току | Относительное изменение значения выходного напряжения интегральной микросхемы при изменении выходного тока, приведенное к 1 А изменения выходного тока, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
120. Нестабильность по нагрузке интегральной микросхемы Нестабильность по нагрузке | - | Относительное изменение значения выходного тока интегральной микросхемы при изменении сопротивления нагрузки, приведенное к 1 Ом изменения сопротивления нагрузки, при отсутствии других дестабилизирующих факторов | |
121. Коэффициент стабилизации входного напряжения интегральной микросхемы Коэффициент стабилизации входного напряжения E. Input stabilization coefficient F. Coefficient de stabilisation en fonction de la tension |
| Отношение относительного изменения выходного напряжения или тока интегральной микросхемы к заданному относительному изменению входного напряжения при отсутствии других дестабилизирующих факторов | |
122. Коэффициент стабилизации нагрузки интегральной микросхемы Коэффициент стабилизации нагрузки E. Load stabilization coefficient F. Coefficient de stabilisation en fonction de la charge | Отношение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы к заданному относительному изменению выходного тока при отсутствии других дестабилизирующих факторов | ||
123. Коэффициент сглаживания пульсаций интегральной микросхемы Коэффициент сглаживания пульсаций E. Ripple rejection ratio F. Taux de | Отношение амплитудного значения пульсаций входного напряжения заданной частоты интегральной микросхемы к амплитудному значению пульсаций выходного напряжения той же частоты | ||
124. Дрейф выходного напряжения интегральной микросхемы Дрейф выходного напряжения E. Output voltage drift F. |
|
| Наибольшее значение относительного изменения выходного напряжения интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов |
125. Дрейф выходного тока интегральной микросхемы Дрейф выходного тока E. Output current drift F. |
| Наибольшее значение относительного изменения выходного тока интегральной микросхемы в течение заданного интервала времени при отсутствии других дестабилизирующих факторов | |
126. Температурный коэффициент выходного тока интегральной микросхемы Температурный коэффициент выходного тока |
| Отношение относительного изменения выходного тока к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды или корпуса при отсутствии других дестабилизирующих факторов | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
127. Напряжение гистерезиса интегральной микросхемы Напряжение гистерезиса | Разность между напряжением срабатывания и напряжением отпускания интегральной микросхемы | ||
128. Напряжение синхронизации интегральной микросхемы Напряжение синхронизации | - | Напряжение, подаваемое на синхронизирующий вход интегральной микросхемы, при котором рабочая частота интегральной микросхемы равна или кратна частоте напряжения синхронизации | |
129. Полоса захвата синхронизации интегральной микросхемы Полоса захвата синхронизации | - | Максимальное относительное отклонение собственной частоты коммутации от частоты синхронизирующего сигнала, при котором обеспечивается работа интегральной микросхемы на частоте синхронизирующего сигнала | |
130. Коммутируемая мощность интегральной микросхемы Коммутируемая мощность | - | Значение мощности, определяемое как произведение коммутируемого напряжения на среднеквадратическое значение коммутируемого тока, в заданном режиме интегральной микросхемы | |
131. Коэффициент передачи интегральной микросхемы Коэффициент передачи | - | Отношение абсолютного значения изменения выходного напряжения усилителя рассогласования интегральной микросхемы к абсолютному изменению входного напряжения | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ КОММУТАТОРОВ И КЛЮЧЕЙ | |||
132. Управляющее напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Управляющее напряжение низкого уровня |
| Максимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее разомкнутое состояние ключа интегральной микросхемы | |
133. Управляющее напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Управляющее напряжение высокого уровня |
| Минимальное абсолютное значение напряжения на управляющем входе, обеспечивающее замкнутое состояние ключа интегральной микросхемы | |
134. Ток утечки аналогового входа интегральной микросхемы Ток утечки аналогового входа | Постоянный ток, протекающий через аналоговый вход (входы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах) | ||
135. Ток утечки аналогового выхода интегральной микросхемы Ток утечки аналогового выхода |
| Постоянный ток, протекающий через аналоговый выход (выходы) интегральной микросхемы при закрытом канале (каналах) | |
136. Входной ток низкого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы Входной ток низкого уровня управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них) управляющего напряжения низкого уровня | ||
137. Входной ток высокого уровня управляющего напряжения интегральной микросхемы Входной ток высокого уровня управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через управляющий вход (входы) интегральной микросхемы при подаче на него (них) управляющего напряжения высокого уровня | ||
138. Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при низком уровне управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения низкого уровня | ||
139. Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения интегральной микросхемы Ток потребления при высоком уровне управляющего напряжения | Постоянный ток, протекающий через вывод (выводы) питания интегральной микросхемы, при подаче на управляющий вход (входы) управляющего напряжения высокого уровня | ||
140. Сопротивление в открытом состоянии интегральной микросхемы Сопротивление в открытом состоянии | Отношение падения напряжения между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы к вызвавшему его току при включенном канале | ||
141. Время включения интегральной микросхемы Время включения | Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме включения | ||
142. Время выключения интегральной микросхемы Время выключения | Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме выключения | ||
143. Время переключения интегральной микросхемы Время переключения | Интервал времени между уровнем 0,5 управляющего напряжения интегральной микросхемы и заданным уровнем выходного напряжения в режиме параллельного переключения | ||
144. Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы Амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе | Максимальная амплитуда выбросов напряжения на аналоговом выходе интегральной микросхемы, работающей в режиме переключения при отсутствии коммутируемого напряжения | ||
145. Емкость управляющего входа интегральной микросхемы Емкость управляющего входа |
| Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через управляющий вход, интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | |
146. Емкость аналогового входа интегральной микросхемы Емкость аналогового входа |
| Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый вход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | |
147. Емкость аналогового выхода интегральной микросхемы Емкость аналогового выхода |
| Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего через аналоговый выход интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | |
148. Емкость между аналоговыми выходом и входом интегральной микросхемы Емкость между аналоговыми выходом и входом |
| Отношение емкостной реактивной составляющей тока, протекающего между аналоговым выходом и аналоговым входом интегральной микросхемы, к произведению синусоидального напряжения, вызвавшего этот ток, и его круговой частоты при закрытом канале (каналах) | |
149. Частота управляющего напряжения интегральной микросхемы Частота управляющего напряжения | Частота напряжения на управляющем входе интегральной микросхемы при заданной скважности, при которой значения выходного напряжения низкого и высокого уровней удовлетворяют заданным значениям | ||
150. Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала разомкнутым ключом |
|
| Отношение переменной составляющей выходного напряжения закрытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей коммутируемого напряжения |
151. Коэффициент подавления сигнала между каналами интегральной микросхемы Коэффициент подавления сигнала между каналами | Отношение переменной составляющей коммутируемого напряжения открытого канала интегральной микросхемы к переменной составляющей выходного напряжения на любом другом закрытом канале при отсутствии на нем коммутируемого напряжения | ||
152. Коэффициент передачи по напряжению интегральной микросхемы Коэффициент передачи по напряжению | Отношение напряжения на выходе интегральной микросхемы к заданному значению коммутируемого напряжения при включенном канале | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ЦИФРОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
153. Напряжение Напряжение | Напряжение Примечание. | ||
154. Входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Входное напряжение низкого уровня | Напряжение низкого уровня на входе интегральной микросхемы. Примечание. Напряжение низкого уровня - наименее положительное (наиболее отрицательное) напряжение | ||
155. Входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Входное напряжение высокого уровня | Напряжение высокого уровня на выходе интегральной микросхемы. Примечание. Напряжение высокого уровня - наиболее положительное (наименее отрицательное) напряжение | ||
156. Прямое падение напряжения на антизвонном диоде интегральной микросхемы Прямое падение напряжения на антизвонном диоде | Напряжение на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока через защитный диод | ||
157. Выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение высокого уровня | - | ||
158. Выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Выходное напряжение низкого уровня | - | ||
159. Ток потребления Ток потребления | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от | ||
160. Динамический ток потребления интегральной микросхемы Динамический ток потребления |
| Ток потребления интегральной микросхемы в режиме переключения | |
161. Входной ток низкого уровня интегральной микросхемы Входной ток низкого уровня | Входной ток при входном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы | ||
162. Входной ток высокого уровня интегральной микросхемы Входной ток высокого уровня | Входной ток при входном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы | ||
163. Выходной ток высокого уровня интегральной микросхемы Выходной ток высокого уровня | Выходной ток при выходном напряжении высокого уровня интегральной микросхемы | ||
164. Выходной ток низкого уровня интегральной микросхемы Выходной ток низкого уровня | Выходной ток при выходном напряжении низкого уровня интегральной микросхемы | ||
165. Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Выходной ток в состоянии "Выключено" |
| Выходной ток интегральной микросхемы с тремя состояниями на выходе при выключенном состоянии выхода | |
166. Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Выходной ток низкого уровня в состоянии "Выключено" |
| Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения низкого уровня | |
167. Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Выходной ток высокого уровня в состоянии "Выключено" |
| Выходной ток в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы при подаче на измеряемый выход заданного напряжения высокого уровня | |
168. Ток утечки на входе интегральной микросхемы Ток утечки на входе | Ток во входной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах | ||
169. Ток утечки на выходе интегральной микросхемы Ток утечки на выходе |
| Ток в выходной цепи интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах | |
170. Ток утечки низкого уровня на входе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на входе | Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
171. Ток утечки высокого уровня на входе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на входе | Ток утечки во входной цепи интегральной микросхемы при входных напряжениях в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | ||
172. Ток утечки низкого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки низкого уровня на выходе |
| Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем низкому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | |
173. Ток утечки высокого уровня на выходе интегральной микросхемы Ток утечки высокого уровня на выходе |
| Ток утечки интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода, при напряжении на выходе в диапазоне, соответствующем высокому уровню, и при заданных режимах на остальных выводах | |
174. Потребляемая мощность Потребляемая мощность | Мощность, потребляемая интегральной микросхемой в заданном режиме, от | ||
175. Время перехода при включении интегральной микросхемы Время перехода при включении | Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения | ||
176. Время перехода при выключении интегральной микросхемы Время перехода при выключении | Интервал времени, в течение которого напряжение на выходе интегральной микросхемы переходит от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровнях 0,1 и 0,9 или на заданных значениях напряжения | ||
177. Время выбора интегральной микросхемы Время выбора | Интервал времени между подачей на вход сигнала выбора интегральной микросхемы и получением на выходе сигналов информации | ||
178. Время сохранения сигнала интегральной микросхемы Время сохранения E. Valid time F. Temps de validation | Интервал времени, в течение которого выходной сигнал является достоверным или в течение которого входной сигнал должен оставаться достоверным | ||
179. Время хранения информации интегральной микросхемы Время хранения информации | Интервал времени, в течение которого интегральная микросхема в заданном режиме эксплуатации сохраняет информацию | ||
180. Время установления входных сигналов интегральной микросхемы Время установления входных сигналов E. Set-up time F. Temps de | Интервал времени между началом сигнала на заданном выводе входа и последующим активным переходом на другом заданном выводе входа | ||
181. Время цикла интегральной микросхемы Время цикла E. Cycle time F. Temps de cycle | Длительность периода сигналов на одном из управляющих входов, в течение которой интегральная микросхема выполняет одну из функций | ||
182. Время восстановления интегральной микросхемы Время восстановления | Интервал времени между окончанием заданного сигнала на выводе интегральной микросхемы и началом заданного сигнала следующего цикла | ||
183. Время задержки распространения при включении интегральной микросхемы Время задержки распространения при включении | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения | ||
184. Время задержки распространения при выключении интегральной микросхемы Время задержки распространения при выключении | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,5 или на заданных значениях напряжения | ||
185. Время задержки включения интегральной микросхемы Время задержки включения | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению низкого уровня, измеренный на уровне 0,1 или на заданных значениях напряжения | ||
186. Время задержки выключения интегральной микросхемы Время задержки выключения | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению высокого уровня, измеренный на уровне 0,9 или на заданных значениях напряжения | ||
187. Длительность сигнала интегральной микросхемы Длительность сигнала | Интервал времени между заданными контрольными точками по фронтам импульса интегральной микросхемы | ||
188. Длительность сигнала низкого уровня интегральной микросхемы Длительность сигнала низкого уровня | Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня до момента его перехода из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения | ||
189. Длительность сигнала высокого уровня интегральной микросхемы Длительность сигнала высокого уровня | Интервал времени от момента перехода сигнала интегральной микросхемы из состояния низкого уровня в состояние высокого уровня до момента перехода его из состояния высокого уровня в состояние низкого уровня, измеренный на заданном уровне напряжения | ||
190. Частота следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Частота следования импульсов тактовых сигналов | - | ||
191. Период следования импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы Период следования импульсов тактовых сигналов | Интервал времени между началами или окончаниями следующих друг за другом импульсов тактовых сигналов интегральной микросхемы, измеренный на заданном уровне напряжения | ||
192. Помехоустойчивость при низком уровне сигнала интегральной микросхемы Помехоустойчивость при низком уровне сигнала | Абсолютное значение разности между максимальным входным напряжением низкого уровня и максимальным выходным напряжением низкого уровня интегральной микросхемы | ||
193. Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала интегральной микросхемы Помехоустойчивость при высоком уровне сигнала | Абсолютное значение разности между минимальным входным напряжением высокого уровня и минимальным выходным напряжением высокого уровня интегральной микросхемы | ||
194. Емкость входа/выхода интегральной микросхемы Емкость входа/выхода |
| Значение емкости объединенного входа/выхода, равное отношению емкостной реактивной составляющей входного или выходного тока интегральной микросхемы к произведению круговой частоты на синусоидальное входное или выходное напряжение при заданном значении частоты сигнала | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
195. Выходное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Выходное пороговое напряжение высокого уровня |
|
| Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе |
196. Выходное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Выходное пороговое напряжение низкого уровня |
| Наибольшее значение напряжения низкого уровня на выходе интегральной микросхемы при пороговом напряжении на входе | |
197. Входное пороговое напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Входное пороговое напряжение высокого уровня |
| Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | |
198. Входное пороговое напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Входное пороговое напряжение низкого уровня |
| Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе интегральной микросхемы, при котором происходит переход интегральной микросхемы из одного устойчивого состояния в другое | |
199. Входное напряжение блокировки интегральной микросхемы Входное напряжение блокировки |
| Наименьшее значение напряжения на входе интегральной микросхемы при заданном значении входного тока | |
200. Входной пробивной ток интегральной микросхемы Входной пробивной ток |
| Входной ток при максимальном напряжении на входе интегральной микросхемы, не вызывающем необратимых процессов в микросхеме | |
201. Ток потребления выходного напряжения низкого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения низкого уровня | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении низкого уровня | ||
202. Ток потребления выходного напряжения высокого уровня интегральной микросхемы Ток потребления выходного напряжения высокого уровня | Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника питания, при выходном напряжении высокого уровня | ||
203. Средний ток потребления интегральной микросхемы Средний ток потребления |
|
| Ток, равный полусумме токов, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях |
204. Средняя потребляемая мощность интегральной микросхемы Средняя потребляемая мощность |
|
| Мощность, равная полусумме мощностей, потребляемых интегральной микросхемой от источников питания в двух различных устойчивых состояниях |
205. Среднее время задержки распространения интегральной микросхемы Среднее время задержки распространения |
| Интервал времени, равный полусумме времен задержки распространения сигнала при включении и выключении интегральной микросхемы | |
206. Время задержки распространения при переходе из состояния высокого уровня в состояние "Выключено" | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения высокого уровня к напряжению в состоянии "Выключено" | ||
207. Время задержки распространения при переходе из состояния низкого уровня в состояние "Выключено" | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения низкого уровня к напряжению в состоянии "Выключено" | ||
208. Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние высокого уровня | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению высокого уровня | ||
209. Время задержки распространения при переходе из состояния "Выключено" в состояние низкого уровня | Интервал времени между входным и выходным импульсами при переходе напряжения на выходе интегральной микросхемы от напряжения в состоянии "Выключено" к напряжению низкого уровня | ||
210. Рабочая частота интегральной микросхемы Рабочая частота | Частота сигнала, подаваемого на вход интегральной микросхемы при заданных скважности и условиях на других входах, при которой на выходе обеспечиваются заданные уровни напряжений | ||
211. Коэффициент разветвления по выходу интегральной микросхемы Коэффициент разветвления по выходу | Число единичных нагрузок, которое можно одновременно подключить к выходу интегральной микросхемы. Примечание. Единичной нагрузкой является один вход основного логического элемента данной серии интегральных микросхем | ||
212. Коэффициент объединения по входу интегральной микросхемы Коэффициент объединения по входу | Число входов интегральной микросхемы, по которым реализуется логическая функция | ||
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ МИКРОПРОЦЕССОРНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ | |||
213. Напряжение инжектора при заданном токе инжектора интегральной микросхемы Напряжение инжектора при заданном токе инжектора | - | ||
214. Максимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение низкого уровня |
|
| Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы |
215. Максимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Максимальное входное напряжение высокого уровня |
|
| Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы |
216. Минимальное входное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Минимальное входное напряжение низкого уровня |
|
| Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы |
217. Минимальное входное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Минимальное входное напряжение высокого уровня |
|
| Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона входных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы |
218. Максимальное выходное напряжение низкого уровня интегральной микросхемы Максимальное выходное напряжение низкого уровня |
|
| Наибольшее положительное или наименьшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений низкого уровня интегральной микросхемы |
219. Минимальное выходное напряжение высокого уровня интегральной микросхемы Минимальное выходное напряжение высокого уровня |
|
| Наименьшее положительное или наибольшее отрицательное значение напряжения из допустимого диапазона выходных напряжений высокого уровня интегральной микросхемы |
220. Ток инжектора интегральной микросхемы Ток инжектора | Ток в цепи вывода питания, необходимый для работы интегральной микросхемы в заданном режиме | ||
221. Ток потребления в состоянии "Выключено" интегральной микросхемы Ток потребления в состоянии "Выключено" |
| Ток потребления интегральной микросхемы при закрытом состоянии выхода. Примечание. Термин используют для схем с тремя состояниями на выходе | |
ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРНЫЕ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ | |||
222. Напряжение питания в режиме хранения интегральной микросхемы Напряжение питания в режиме хранения | Напряжение источника питания, необходимое для хранения информации интегральной микросхемы | ||
223. Напряжение сигнала входной информации интегральной микросхемы Напряжение сигнала входной информации | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему | ||
224. Напряжение низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала входной информации | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему | ||
225. Напряжение высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала входной информации | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала информации, обеспечивающее ввод информации в интегральную микросхему | ||
226. Напряжение сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение сигнала выходной информации |
| Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы | |
227. Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выходной информации |
|
| Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню |
228. Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выходной информации |
|
| Напряжение на выходе сигнала информации интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню |
229. Напряжение сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение сигнала записи | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему | ||
230. Напряжение низкого уровня сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала записи |
| Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется запись информации в интегральную микросхему | |
231. Напряжение высокого уровня сигнала записи интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала записи |
| Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала записи, при котором выполняется операция записи информации в интегральную микросхему | |
232. Напряжение сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение сигнала считывания | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы | ||
233. Напряжение низкого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала считывания | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы | ||
234. Напряжение высокого уровня сигнала считывания интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала считывания |
| Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала считывания, обеспечивающее считывание информации из интегральной микросхемы | |
235. Напряжение сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение сигнала разрешения | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции | ||
236. Напряжение низкого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала разрешения | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции | ||
237. Напряжение высокого уровня сигнала разрешения интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала разрешения | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала разрешения, обеспечивающее выполнение интегральной микросхемой заданной функции | ||
238. Напряжение сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение сигнала адреса | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы | ||
239. Напряжение низкого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала адреса | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы | ||
240. Напряжение высокого уровня сигнала адреса интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала адреса | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала адреса, обеспечивающее обращение к определенной ячейке интегральной микросхемы | ||
241. Напряжение сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение сигнала запись-считывание |
|
| Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания |
242. Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала запись-считывание |
|
| Наибольшее значение напряжения на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания |
243. Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала запись-считывание |
|
| Наименьшее значение напряжения высокого уровня на выводе сигнала запись-считывание интегральной микросхемы, обеспечивающее выполнение функции записи или считывания |
244. Напряжение сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
245. Напряжение низкого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора | Наибольшее значение напряжения низкого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
246. Напряжение высокого уровня сигнала выбора интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора | Наименьшее значение напряжения высокого уровня на входе сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
247. Напряжение тактового сигнала интегральной микросхемы Напряжение тактового сигнала | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на входе тактового сигнала, обеспечивающее работу интегральной микросхемы в определенный интервал времени | ||
248. Напряжение сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса столбцов | Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | ||
249. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса столбцов |
| Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню | |
250. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса столбцов |
| Напряжение на входе сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню | |
251. Напряжение сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение сигнала выбора адреса строк | Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | ||
252. Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение низкого уровня сигнала выбора адреса строк |
| Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее низкому уровню | |
253. Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Напряжение высокого уровня сигнала выбора адреса строк |
| Напряжение на входе сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы, соответствующее высокому уровню | |
254. Напряжение сигнала стирания интегральной микросхемы Напряжение сигнала стирания |
| Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала "стирание" интегральной микросхемы, обеспечивающее стирание информации | |
255. Напряжение сигнала программирования интегральной микросхемы Напряжение сигнала программирования | Наибольшее или наименьшее значение напряжения на выводе сигнала программирования интегральной микросхемы, обеспечивающее изменение информации в программируемых запоминающих устройствах с перепрограммированием | ||
256. Ток потребления в режиме хранения интегральной микросхемы Ток потребления в режиме хранения |
| Ток, потребляемый интегральной микросхемой от источника или источников питания в режиме хранения информации | |
257. Ток сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток сигнала входной информации | Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы | ||
258. Ток низкого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток низкого уровня сигнала входной информации | Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню | ||
259. Ток высокого уровня сигнала входной информации интегральной микросхемы Ток высокого уровня сигнала входной информации | Ток в цепи сигнала входной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню | ||
260. Ток сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток сигнала выходной информации |
| Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы | |
261. Ток низкого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток низкого уровня сигнала выходной информации |
| Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню | |
262. Ток высокого уровня сигнала выходной информации интегральной микросхемы Ток высокого уровня сигнала выходной информации |
| Ток в цепи сигнала выходной информации интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню | |
263. Ток сигнала записи интегральной микросхемы Ток сигнала записи | Ток в цепи сигнала записи интегральной микросхемы | ||
264. Ток сигнала считывания интегральной микросхемы Ток сигнала считывания | Ток в цепи сигнала считывания интегральной микросхемы | ||
265. Ток сигнала адреса интегральной микросхемы Ток сигнала адреса | Ток в цепи сигнала адреса интегральной микросхемы | ||
266. Ток сигнала запись-считывание интегральной микросхемы Ток сигнала запись-считывание |
| Ток в цепи сигнала запись-считывание интегральной микросхемы в заданном режиме | |
267. Ток сигнала выбора интегральной микросхемы Ток сигнала выбора | Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы | ||
268. Ток низкого уровня по входу выбора интегральной микросхемы Ток низкого уровня по входу выбора | Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий низкому уровню | ||
269. Ток высокого уровня по входу выбора интегральной микросхемы Ток высокого уровня по входу выбора | Ток в цепи сигнала выбора интегральной микросхемы, соответствующий высокому уровню | ||
270. Ток сигнала разрешения интегральной микросхемы Ток сигнала разрешения | Ток в цепи сигнала разрешения интегральной микросхемы | ||
271. Ток сигнала стирания интегральной микросхемы Ток сигнала стирания | Ток в цепи сигнала стирания интегральной микросхемы | ||
272. Ток тактового сигнала интегральной микросхемы Ток тактового сигнала | Ток в цепи импульсного питания интегральной микросхемы динамических запоминающих устройств | ||
273. Ток сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса столбцов | Ток в цепи сигнала выбора адреса столбцов интегральной микросхемы | ||
274. Ток сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы Ток сигнала выбора адреса строк | Ток в цепи сигнала выбора адреса строк интегральной микросхемы | ||
275. Динамическая потребляемая мощность интегральной микросхемы Динамическая потребляемая мощность |
| Потребляемая мощность интегральной микросхемы в заданном динамическом режиме | |
276. Потребляемая мощность в режиме хранения интегральной микросхемы Потребляемая мощность в режиме хранения |
| Потребляемая мощность интегральной микросхемы в режиме хранения от источников питания | |
277. Время выборки интегральной микросхемы Время выборки E. Access time F. Temps | Интервал времени между подачей на вход интегральной микросхемы заданного сигнала и получением на выходе сигнала информации при условии, что все остальные необходимые сигналы поданы | ||
278. Время удержания сигнала интегральной микросхемы Время удержания E. Hold time F. Temps de maintien | Интервал времени, в течение которого сигнал удерживается на заданном выводе входа после активного перехода на другом заданном выводе входа | ||
279. Время цикла записи информации интегральной микросхемы Время записи информации | Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет запись информации | ||
280. Время цикла считывания информации интегральной микросхемы Время считывания | Интервал времени, равный периоду сигнала на одном из входов, в течение которого интегральная микросхема осуществляет считывание информации | ||
281. Время регенерации интегральной микросхемы Время регенерации E. Refresh time interval F. Intervalle de temps de | Интервал времени между началом последовательных сигналов, предназначенных для восстановления уровня в ячейке динамической интегральной микросхемы до его первоначального значения | ||
pour l'amplification 
en mode commun
de coupure en boucle ouverte
de l'ondulation 
Попробуйте «Техэксперт: Лаборатория. Инспекция. Сертификация» бесплатно