Статус документа

ГОСТ 18177-81 Детекторы ионизирующих излучений полупроводниковые. Термины и определения (с Изменением N 1)


Термин	Определение
ВИДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
1. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения ППД D. Halbleiterdetektor Е. Semiconductor detector F. semi-conducteur	По ГОСТ 14105-76
2. Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Импульсный ППД D. Impulshalbleiterdetektor Е. Pulse semiconductor detector F. semi-conducteur impulsions	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является совокупность электрических импульсов, причем каждой ионизирующей частице, провзаимодействовавшей с материалом чувствительной области детектора, соответствует один импульс выходного сигнала
3. Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Пропорциональный импульсный ППД D. Linearer Impulshalbleiterdetektor Е. Linear pulse semiconductor detector F. semi-conducteur impulsions,	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала пропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области
4. Непропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Непропорциональный импульсный ППД D. Nichtlinearer Impulshalbleiterdetektor Е. Non-linear pulse semiconductor detector F. semi-conducteur impulsions, non	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором амплитуда импульса выходного сигнала непропорциональна энергии ионизирующей частицы, поглощенной в его чувствительной области
5. Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Аналоговый ППД D. Analoger Halbleiterdetektor Е. Analogue semiconductor detector F. semi-conducteur analogique	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, у которого выходным сигналом является электрический ток или заряд, причем указанные физические величины являются монотонной непрерывной функцией характеристик поля ионизирующего излучения, в котором находится детектор
6. Токовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Токовый ППД D. Strom-Halbleiterdetektor Е. Current semiconductor detector F. semi-conducteur courant	Аналоговый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении или регистрации физической величины, характеризующей плотность потока или перенос энергии ионизирующего излучения
7. Спектрометрический полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Спектрометрический ППД	Пропорциональный импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении энергии ионизирующих частиц или энергетического распределения ионизирующего излучения
8. Счетный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Счетный ППД	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении потока, плотности потока или переноса ионизирующих частиц, мощности экспозиционной дозы или экспозиционной дозы фотонного излучения
9. Временной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Временной ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении моментов взаимодействия ионизирующих частиц с веществом чувствительной области детектора
10. Пролетный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Пролетный ППД D. Durchschuss-Halbleiterdetektor Е. Transmission semiconductor detector F. semi-conducteur transmission	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при измерении удельных потерь энергии заряженных частиц в веществе чувствительной области детектора
11. Позиционный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Позиционный ППД	Импульсный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, применяемый при определении координат места регистрации заряженной частицы в чувствительной области детектора
12. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с структурой ППД с структурой	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехода
13. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с структурой ППД с структурой	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является -область структуры
14. Поверхностно-барьерный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Поверхностно-барьерный ППД D. Е. Surface-barrier semi-conductor detector F. semi-conducteur de surface	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительной областью которого является обедненный слой перехода Шоттки
15. Однородный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Однородный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий омические переходы, чувствительной областью которого является однородный по типу электропроводности полупроводниковый материал
16. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения с поверхностным барьером ППД с поверхностным барьером	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, содержащий переход Шоттки
17. Усиливающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Усиливающий ППД D. Halbleiterdetektor mit innerer Е. Amplifying semiconductor detector F. semi-conducteur amplification interne	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит размножение зарядов, образованных ионизирующей частицей в чувствительной области детектора
18. Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения из особо чистого германия ППД ОЧГ	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается из особо чистого германия с концентрацией атомов электрически активных примесей не более 3·10 см
19. Диффузионный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Диффузионный ППД D. Halbleiterdetektor mit diffundierter Sperrschicht Е. Diffused junction semiconductor detector F. semi-conducteur jonction	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, структура которого создается в результате диффузии легирующих примесей в полупроводниковый материал
20. Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Дрейфовый ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается в результате дрейфа ионов легирующей примеси в полупроводниковый материал. Примечание. Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором происходит дрейф ионов лития, называется литий-дрейфовым
21. Диффузионно-дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Диффузионно-дрейфовый ППД	Дрейфовый полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в полупроводниковый материал которого легирующая примесь введена в результате диффузии
22. Радиационный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Радиационный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого создается в результате технологической обработки полупроводникового материала ионизирующим излучением
23. Планарный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Планарный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого представляет собой слой, ограниченный параллельными плоскостями
24. Коаксиальный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Коаксиальный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого расположена вокруг его центральной оси
25. Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Составной ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, в котором в единую конструкцию объединены несколько полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
26. Мозаичный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Мозаичный ППД	Составной полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, чувствительная область которого составлена из чувствительных областей отдельных полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
27. Монолитный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Монолитный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивно-технологическое исполнение которого обеспечивает отсутствие внутренних пустот
28. Конверторный полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Конверторный ППД	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, конструктивные элементы которого содержат вещества, преобразующие первичное излучение так, что регистрация этого излучения проводится с большей эффективностью
28а. Запоминающий полупроводниковый детектор ионизирующего излучения Запоминающий ППд	Полупроводниковый детектор ионизирующего излучения, информационным параметром которого является долговременное изменение одной из характеристик, возникающее вследствие взаимодействия ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом детектора
ОСНОВНЫЕ КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
29. Чувствительная область полупроводникового детектора ионизирующего излучения Чувствительная область ППД D. Empfindliches Volumen eines HaIbleiterdetektors E. Sensitive volume of a semiconductor detector F. Volume utile d'un semi-conducteur	Часть объема полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с полупроводниковым материалом приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора. Примечание. Для конверторного полупроводникового детектора ионизирующего излучения данное определение относится ко вторичному ионизирующему излучению
30. Мертвый слой полупроводникового детектора ионизирующего излучения Мертвый слой ППД D. Unempfindliche Schicht eines Halbleiterdetektors E. Total detector dead layer of a semiconductor detector F. Zone morte totale d'un detecteur semi-conducteur	Часть полупроводникового детектора ионизирующего излучения, расположенная между наружной поверхностью и чувствительной областью детектора, в пределах которой взаимодействие ионизирующего излучения с веществом не приводит к возникновению сигналов на сигнальных выводах детектора
31. Входное окно полупроводникового детектора непосредственно ионизирующего излучения Входное окно ППД D. Fenster einer Halbleiterdetektors E. Window of a semi-conductor detector F. d'un semi-conducteur	Часть наружной поверхности полупроводникового детектора ионизирующего излучения, через которую регистрируемое непосредственно ионизирующее излучение попадает в чувствительную область детектора
ОСНОВНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
32. Диапазон рабочих напряжений полупроводникового детектора ионизирующего излучения Диапазон рабочих напряжений ППД		Диапазон электрических напряжений, приложенных к сигнальным выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, в котором один или несколько параметров детектора находятся в заданных пределах
33. Максимально допустимое напряжение полупроводникового детектора ионизирующего излучения Максимально допустимое напряжение ППД		Наибольшее значение электрического напряжения, приложенного к сигнальным выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, после воздействия которого еще не имеют места необратимые изменения параметров детектора
34. Оптимальное напряжение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Оптимальное напряжение спектрометрического ППД		Электрическое напряжение, приложенное к выводам полупроводникового детектора ионизирующего излучения, при котором достигается наименьшее значение энергетического разрешения детектора
35. Емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения Емкость ППД		Электрическая емкость полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная между сигнальными выводами детектора
36. Темновой ток полупроводникового детектора ионизирующего излучения Темновой ток ППД D. Dunkelstrom eines Halbleiterdetektors E. Leakage current of a semiconductor detector F. Courant de fuite d'un detecteur semi-conducteur		Электрический ток, протекающий через сигнальные выводы полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора
37. Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения Шум ППД		Среднее квадратическое значение флуктуации электрического заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения при отсутствии падающего на детектор ионизирующего излучения и при отсутствии проникновения света в чувствительную область детектора
38. Энергетический эквивалент шума полупроводникового детектора ионизирующего излучения Энергетический эквивалент шума ППД		Шум полупроводникового детектора ионизирующего излучения, выраженный в энергетических единицах, то есть умноженный на 2,355 и деленный на коэффициент преобразования материала детектора
39. Средняя частота следования фоновых импульсов полупроводникового детектора ионизирующего излучения Средняя частота следования фоновых импульсов ППД		Усредненное во времени число импульсов на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, имеющих амплитуду больше заданного значения и не связанных с регистрацией внешних ионизирующих излучений
ОСНОВНЫЕ РАДИОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ
40. Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Чувствительность ППД D. Empfindlichkeit eines Halbleiterdetektors E. Sensitivity of a semi-conductor detector F. d'un semi-conducteur		Отношение изменения информативного параметра выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к изменению физической величины, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения при определенной ориентации детектора в это поле
41. Дискретная чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Дискретная чувствительность ППД		Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов, имеющих амплитуду больше определенного значения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос частиц или экспозиционная доза фотонного излучения за время набора указанных импульсов
42. Аналоговая чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Аналоговая чувствительность ППД		Чувствительность полупроводникового детектора ионизирующего излучения, у которого информативным параметром выходного сигнала является электрический ток или заряд, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является физическая величина, характеризующая плотность потока или перенос энергии
43. Чувствительность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Чувствительность спектрометрического ППД		Чувствительность полупроводникового детектора, у которого информативным параметром выходного сигнала является число импульсов в пике полного поглощения, а физической величиной, характеризующей источники или поле ионизирующего излучения, является перенос ионизирующих частиц данной энергии за время набора указанных импульсов
44. Абсолютная эффективность спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Абсолютная эффективность спектрометрического ППД D. Totalabsorptions-Nachweiswahrscheinlichkeit Е. Total absorption detection effiency F. Rendement d'absorption totale de		Отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения в пике полного поглощения, за вычетом фоновых импульсов, к числу ионизирующих частиц, испускаемых точечным источником, установленным на определенном расстоянии от детектора, в угле 4
45. Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на полувысоте распределения ПШПВ ППД D. Halbwertbreite eines Halbleiterdetektors E. Energy resolution (FWHM) of a semiconductor detector F. Resolution en energie (LMH) d'un detecteur semi-conducteur		Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная на полувысоте этого распределения, соответствующего полному поглощению регистрируемого моноэнергетического излучения в чувствительной области детектора
46. Энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на одной десятой высоты распределения ПШДВ ППД		Выраженная в энергетических единицах ширина распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения, измеренная на одной десятой высоты этого распределения, соответствующего полному поглощению регистрируемого моноэнергетического излучения в чувствительной области детектора
47. Относительное энергетическое разрешение спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения Относительное энергетическое разрешение спектрометрического ППД		Отношение энергетического разрешения спектрометрического полупроводникового детектора ионизирующего излучения на полувысоте распределения к значению энергии, соответствующему максимуму пика распределения амплитуд выходного сигнала детектора, по которому определено это отношение
48. Отношение пик-комптон спектрометрического полупроводникового детектора фотонного излучения Отношение пик-комптон ППД		Отношение числа отсчетов в максимуме пика полного поглощения распределения амплитуд импульсов выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения к усредненному числу отсчетов, соответствующих плато комптоновского распределения данной энергии
49. Временное разрешение полупроводникового детектора ионизирующего излучения Временное разрешение ППД		Ширина распределения интервалов времени от момента попадания ионизирующей частоты в чувствительную область полупроводникового детектора ионизирующего излучения до момента, когда амплитуда импульса выходного сигнала детектора достигает заданного значения, измеренная на полувысоте этого распределения
50. Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения Время нарастания импульса заряда или напряжения выходного сигнала ППД D. Anstiegzeit eines Halbleiterdetektors E. Semiconductor detector electrical rise time F. Tempo de montee electrique d'un detecteur semi-conducteur		Интервал времени, в течение которого импульс заряда или напряжения выходного сигнала полупроводникового детектора ионизирующего излучения изменяется от 10 до 90% от его максимального значения
51. Радиационная помехоустойчивость полупроводникового детектора ионизирующего излучения Радиационная помехоустойчивость ППД D. eines Halbleiterdetektors Е. Selectivity of a semi-conductor detector F. d'un semi-conducteur		Отношение эффективности или чувствительности полупроводникового детектора при регистрации ионизирующего излучения, для определения характеристик которого он предназначен, к эффективности или чувствительности детектора при регистрации сопутствующего излучения
52. Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя полупроводникового детектора ионизирующего излучения Энергетический эквивалент толщины мертвого слоя ППД		Потери энергии ионизирующего излучения определенного типа и энергии в мертвом слое полупроводникового детектора при нормальном падении ионизирующего излучения на входное окно детектора
53. Эффективность собирания заряда полупроводникового детектора ионизирующего излучения Эффективность собирания заряда ППД		Отношение заряда, возникающего на сигнальных выводах полупроводникового детектора к заряду, создаваемому ионизирующей частицей в чувствительной области детектора. Примечание. Термин не распространяется на усиливающие полупроводниковые детекторы ионизирующего излучения
54. Дискретная эффективность полупроводникового детектора ионизирующего излучения Дискретная эффективность ППд		Выраженное в процентах отношение числа импульсов, возникающих на сигнальных выводах полупроводникового детектора ионизирующего излучения, к числу ионизирующих частиц, упавших на определенную поверхность внешнего контура детектора