ГОСТ 23480-79 Контроль неразрушающий. Методы радиоволнового вида. Общие требования (с Изменениями N 1, 2)
1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ
1.1. СВЧ-методы основаны на взаимодействии электромагнитного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом контроля, преобразовании параметров поля в параметры электрического сигнала и передаче на регистрирующий прибор или средства обработки информации.
1.2. По первичному информативному параметру различают следующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый, геометрический, временной, спектральный, поляризационный, голографический.
1.3. Области применения СВЧ-методов радиоволнового вида неразрушающего контроля приведены в табл.1.
Таблица 1
Название | Область применения | Факторы, ограничивающие область применения | Контролируемые параметры | Чувстви- | Погреш- |
Ампли- тудный | Толщинометрия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов | Сложная конфигурация. Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля | Толщина до 100 мм | 1-3 мм | 5% |
Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов | Дефекты: трещины, расслоения, включения, недопрессовки | Трещины более 0,1х1х1 мм | - | ||
Фазовый | Толщинометрия листовых материалов и полуфабрикатов, слоистых изделий и конструкций из диэлектрика | Волнистость профиля или поверхности объекта контроля при шаге менее 10 Отстройка от влияния амплитуды сигнала | Толщина до 0,5 | 5·10 | 1% |
Контроль "электрической" (фазовой) толщины | Толщина до 0,5 | 0,1° | 1° | ||
Амплитудно- фазовый | Толщинометрия материалов, полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектриков, контроль изменений толщины | Неоднозначность отсчета при изменениях толщины более 0,5 | Толщина 0-50 мм | 0,05 мм | ±0,1 мм |
Дефектоскопия слоистых материалов и изделий из диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм | Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля | Расслоения, включения, трещины, изменения плотности, неравномерное распределение составных компонентов | Включения порядка 0,05 | - | |
Геометри- ческий | Толщинометрия изделий и конструкций из диэлектриков: контроль абсолютных значений толщины, остаточной толщины | Сложная конфигурация объектов контроля; непараллельность поверхностей. Толщина более 500 мм | Толщина 0-500 мм | 1,0 мм | 3-5% |
Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в изделиях из диэлектрических материалов | Сложная конфигурация объектов контроля | Определение глубины залегания дефектов в пределах до 500 мм | 1,0 мм | 3-5% | |
Временной | Толщинометрия конструкций и сред, являющихся диэлектриками | Наличие "мертвой" зоны. Наносекундная техника. Применение генераторов мощностью более 100 мВт | Толщина более 500 мм | 5-10 мм | 5% |
Дефектоскопия сред из диэлектриков | Определение глубины залегания дефектов в пределах выше 500 мм | 5-10 мм | 5% | ||
Спектраль- ный | Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий из радиопрозрачных материалов | Стабильность частоты генератора более 10 Наличие источника магнитного поля. Сложность создания чувствительного тракта преобразователя в диапазоне перестройки частоты более 10% | Изменения в структуре и физико- химических свойствах материалов объектов контроля, включения | Микродефекты и микронеоднород- | - |
Поляриза- ционный | Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических материалов | Сложная конфигурация. Толщина более 100 мм | Дефекты структуры и технологии, вызывающие анизотропию свойств материалов (анизотропия, механические и термические напряжения, технологические нарушения упорядоченности структуры) | Дефекты площадью более 0,5-1,0 см | - |
Голографи- ческий | Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических и полупроводниковых материалов с созданием видимого (объемного) изображения | Стабильность частоты генератора более 10 Сложность создания опорного пучка или поля с равномерными амплитудно- фазовыми характеристиками. | Включения, расслоения, разно- толщинность, изменения формы объектов | Трещины с раскрывом 0,05 мм | - |
Сложность и высокая стоимость аппаратуры |
Примечание. - длина волны в контролируемом объекте;
- размер раскрыва антенны в направлении волнистости.
1.4. Необходимым условием применения СВЧ-методов является соблюдение следующих требований:
отношение наименьшего размера (кроме толщины) контролируемого объекта к наибольшему размеру раскрыва антенны преобразователя должно быть не менее единицы;
наименьший размер минимально выявляемых дефектов должен не менее чем в три раза превышать величину шероховатости поверхности контролируемых объектов;
резонансные частоты спектра отраженного (рассеянного) излучения или напряженности магнитных полей материалов объекта и дефекта должны иметь различие, определяемое выбором конкретных типов регистрирующих устройств.
1.5. Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля приведены в табл.2.
Таблица 2