Статус документа
Статус документа


ГОСТ 23480-79

Группа Т59

     

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ


Контроль неразрушающий

МЕТОДЫ РАДИОВОЛНОВОГО ВИДА

Общие требования

Non-destructive testing. Radio wave methods.
General requirements


МКС 19.100

ОКСТУ 0011

       Дата введения 1980-01-01


Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 7 февраля 1979 г. N 485 дата введения установлена 01.01.80    

   Ограничение срока действия снято по протоколу N 4-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС 4-94)           

   ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2,  утвержденными в августе 1984 г., июне 1989 г.  (ИУС 12-84, 11-89).   


Настоящий стандарт распространяется на сверхвысокочастотные (далее - СВЧ) методы радиоволнового вида неразрушающего контроля и устанавливает область применения, общие требования к аппаратуре и стандартным образцам, порядку подготовки и проведению контроля, оформлению результатов и требования безопасности.

Термины, применяемые в настоящем стандарте, и их определения - по ГОСТ 25313-82.

Пояснения терминов, применяемых в настоящем стандарте, приведены в приложении 1.

(Измененная редакция, Изм. N 1, 2).

1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ

1.1. СВЧ-методы основаны на взаимодействии электромагнитного поля в диапазоне длин волн от 1 до 100 мм с объектом контроля, преобразовании параметров поля в параметры электрического сигнала и передаче на регистрирующий прибор или средства обработки информации.

1.2. По первичному информативному параметру различают следующие СВЧ-методы: амплитудный, фазовый, амплитудно-фазовый, геометрический, временной, спектральный, поляризационный, голографический.

1.3. Области применения СВЧ-методов радиоволнового вида неразрушающего контроля приведены в табл.1.

Таблица 1

Название
метода

Область применения

Факторы, ограничивающие область применения

Контролируемые параметры

Чувстви-
тельность

Погреш-
ность

Ампли-

тудный



Толщинометрия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов

Сложная конфигурация. Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля

Толщина до 100 мм

1-3 мм

5%



Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий из радиопрозрачных материалов



Дефекты: трещины, расслоения, включения, недопрессовки

Трещины более 0,1х1х1 мм

-

Фазовый

Толщинометрия листовых материалов и полуфабрикатов, слоистых изделий и конструкций из диэлектрика

Волнистость профиля или поверхности объекта контроля при шаге менее 10.

Отстройка от влияния амплитуды сигнала

Толщина до 0,5

5·10 мм

1%



Контроль "электрической" (фазовой) толщины

Толщина до 0,5

0,1°

Амплитудно-

фазовый

Толщинометрия материалов, полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектриков, контроль изменений толщины

Неоднозначность отсчета при изменениях толщины более 0,5. Изменение диэлектрических свойств материала объектов контроля величиной более 2%. Толщина более 50 мм

Толщина 0-50 мм

0,05 мм

±0,1 мм

Дефектоскопия слоистых материалов и изделий из диэлектрика и полупроводника толщиной до 50 мм

Изменение зазора между антенной преобразователя и поверхностью объекта контроля

Расслоения, включения, трещины, изменения плотности, неравномерное распределение составных компонентов

Включения порядка 0,05. Трещины с раскрывом порядка 0,05 мм. Разноплотность порядка 0,05 г/см

-

Геометри-

ческий

Толщинометрия изделий и конструкций из диэлектриков: контроль абсолютных значений толщины, остаточной толщины

Сложная конфигурация объектов контроля; непараллельность поверхностей. Толщина более 500 мм

Толщина 0-500 мм

1,0 мм

3-5%

Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий: контроль раковин, расслоений, инородных включений в изделиях из диэлектрических материалов

Сложная конфигурация объектов контроля

Определение глубины залегания дефектов в пределах до 500 мм

1,0 мм

3-5%

Временной

Толщинометрия конструкций и сред, являющихся диэлектриками

Наличие "мертвой" зоны. Наносекундная техника. Применение генераторов мощностью более

 100 мВт     

Толщина более 500 мм

5-10 мм

5%

Дефектоскопия сред из диэлектриков

Определение глубины залегания дефектов в пределах выше 500 мм

5-10 мм

5%

Спектраль-

ный

Дефектоскопия полуфабрикатов и изделий из радиопрозрачных материалов

Стабильность частоты генератора более 10.

Наличие источника магнитного поля. Сложность создания чувствительного тракта преобразователя в диапазоне перестройки частоты более 10%

Изменения в структуре и физико- химических свойствах материалов объектов контроля, включения

Микродефекты и микронеоднород-
родности значительно меньшие рабочей длины волны

-

Поляриза-

ционный

Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических материалов

Сложная конфигурация. Толщина более 100 мм

Дефекты структуры и технологии, вызывающие анизотропию свойств материалов (анизотропия, механические и термические напряжения, технологические нарушения упорядоченности структуры)

Дефекты площадью более 0,5-1,0 см

-

Голографи-

ческий

Дефектоскопия полуфабрикатов, изделий и конструкций из диэлектрических и полупроводниковых материалов с созданием видимого (объемного) изображения

Стабильность частоты генератора более 10.

Сложность создания опорного пучка или поля с равномерными амплитудно- фазовыми характеристиками.

Включения, расслоения, разно-

толщинность, изменения формы объектов

Трещины с раскрывом 0,05 мм

-





Сложность и высокая стоимость аппаратуры







          

Примечание. - длина волны в контролируемом объекте;

- размер раскрыва антенны в направлении волнистости.

1.4. Необходимым условием применения СВЧ-методов является соблюдение следующих требований:

отношение наименьшего размера (кроме толщины) контролируемого объекта к наибольшему размеру раскрыва антенны преобразователя должно быть не менее единицы;

наименьший размер минимально выявляемых дефектов должен не менее чем в три раза превышать величину шероховатости поверхности контролируемых объектов;

резонансные частоты спектра отраженного (рассеянного) излучения или напряженности магнитных полей материалов объекта и дефекта должны иметь различие, определяемое выбором конкретных типов регистрирующих устройств.

1.5. Варианты схем расположения антенн преобразователя по отношению к объекту контроля приведены в табл.2.


Таблица 2

Доступ к полной версии документа ограничен
Полный текст этого документа доступен на портале с 20 до 24 часов по московскому времени 7 дней в неделю.
Также этот документ или информация о нем всегда доступны в профессиональных справочных системах «Техэксперт» и «Кодекс».
Нужен полный текст и статус документов ГОСТ, СНИП, СП?
Попробуйте «Техэксперт: Базовые нормативные документы» бесплатно
Реклама. Рекламодатель: Акционерное общество "Информационная компания "Кодекс". 2VtzqvQZoVs