Статус документа
Статус документа

ГОСТ 27264-87 (СТ СЭВ 5538-86) Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений

2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ
И ПРОВЕРКИ ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫХ ЗНАЧЕНИЙ ПАРАМЕТРОВ

2.1. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (,,)

2.1.1. Общие положения

2.1.1.1. Измерение проводят при температуре перехода 25 °С и (или) при максимально допустимой рабочей температуре перехода.

2.1.1.2. Напряжение коллектор-эмиттер должно быть максимально допустимым.

2.1.1.3. Режим в цепи базы должен соответствовать указанному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.2. Средства измерения

2.1.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт.1.


, - источники напряжения; - измеритель мгновенных значений тока;
- измеритель амплитудных значений напряжения;
- резистор в цепи базы; - испытуемый транзистор

Черт.1

2.1.2.2. Источник импульсного напряжения должен обеспечивать импульсы напряжения с параметрами:

1) амплитуда - по п.2.1.1.2;

2) длительность импульсов - от 0,1 до 10 мс;

3) скважность импульсов - не менее 2;

4) длительность фронта должна быть такой, при которой не сказывается влияние скорости нарастания напряжения.

2.1.2.3. Сопротивление резистора (при измерении ) должно соответствовать установленному в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.2.4. Источник постоянного напряжения (при измерении ) должен обеспечивать обратное напряжение в цепи базы в соответствии с установленным в технических условиях на транзисторы конкретных типов.

2.1.3. Проведение измерения

2.1.3.1. Измерение обратного тока коллектор-эмиттер проводят следующим образом:

1) устанавливают режим в цепи базы в соответствии с п.2.1.1.3;

2) устанавливают по измерителю амплитуду импульсов напряжения от источника импульсного напряжения в соответствии с п.2.1.1.2;

3) измеряют с помощью измерителя тока установившееся значение обратного тока.

2.1.3.2. Транзистор считают выдержавшим испытание, если обратный ток коллектор-эмиттер не превышает значения, установленного в технических условиях на транзисторы конкретных типов.