ГОСТ 24461-80 (СТ СЭВ 1656-79) Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний (с Изменениями N 1, 2)

     3.13. Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии

3.13.1. Условия измерения:

1) температура перехода - максимально допустимая температура перехода;

2) напряжение в закрытом состоянии:

фронт - линейный;

амплитуда - 67% от максимально допустимого повторяющегося импульсного напряжения в закрытом состоянии;

длительность - указанная в стандартах или технических условиях на конкретные типы тиристоров;

3) начальное напряжение - равно нулю;

4) режим по выводу управляющего электрода - указанный в стандартах или технических условиях на конкретные типы тиристоров.

Примечание. Для запираемых тиристоров, при необходимости, может подаваться обратное смещение на управляющий электрод - указанное в технических условиях на конкретные типы резисторов.

(Измененная редакция, Изм. N 2).

3.13.2. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт.28.

Черт.28

Эпюры импульсов испытательного напряжения приведены на черт.29.

Черт.29

3.13.3. Описание схемы и требования к ее элементам.

Источник импульсов напряжения 1 должен обеспечивать:

1) импульсы напряжения в соответствии с п.3.13.1 (2);

при этом:

мгновенное значение испытательного напряжения в диапазоне от 10 до 90% (см. черт.29) не должно отличаться более чем на ±10% от соответствующего значения, лежащего на прямой, соединяющей точки со значениями напряжений 10 и 90% ;

мгновенное значение скорости нарастания испытательного напряжения в диапазоне от 10 до 90% не должно отличаться более чем на ±10% от скорости нарастания для прямой, соединяющей точки со значениями напряжений 10 и 90% ;

угол наклона прямой, соединяющей точки со значениями напряжений 5 и 10% , должен составлять не менее 75% угла наклона прямой, соединяющей точки со значениями напряжений 10 и 90% ;

амплитуда выброса испытательного напряжения не должна превышать 10% ;