ГОСТ 4.64-80
Группа Т51
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
Система показателей качества продукции
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Номенклатура показателей
Product-quality index system. Semiconductor materials.
Nomenclature of indices
Дата введения 1981-07-01
ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059
ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).
Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.
Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
Таблица 1
Показатель качества и единица измерения | Условное обозначение показателя качества | Характеризуемое свойство |
1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см | Электрофизическое свойство | |
1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см | ||
1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см | ||
1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см | ||
2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, % | Электрофизическое свойство | |
3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, % | Электрофизическое свойство | |
4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, % | Электрофизическое свойство | |
5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка | Кристаллографическое свойство | |
6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, ° | Кристаллографическое свойство | |
7. Концентрация атомов оптически активных примесей, см | Химический состав | |
7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см | ||
7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см | ||
8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка | - | |
8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм | ||
8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм | ||
8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм | ||
9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм | - | |
10. Длина монокристаллического слитка, мм | - | |
11. Плотность дислокаций, см | Структурное совершенство | |
12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм | Электрофизическое свойство | |
13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра | Структурное совершенство | |
14. Концентрация основных несителей заряда, см | Электрофизическое свойство | |
15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, % | Электрофизическое свойство | |
16. Подвижность основных носителей заряда, см/(В.с) | Электрофизическое свойство | |
17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы) | - | |
18. Внутренние дефекты | Структурное совершенство | |
18.1. Раковины, трещины | ||
18.2. Наличие второй фазы | ||
18.3. Наличие двойниковых границ | ||
18.4. Наличие свирл-дефектов |
Примечания:
1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.
2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.
В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.
Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.
3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".
(Измененная редакция, Изм. N 1).
Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.
Таблица 2
Кремний монокристаллический