ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4)
Таблица 6
Наименование | Обозначение |
1. Тиристор диодный, запираемый в обратном направлении |
|
2. Тиристор диодный, проводящий в обратном направлении |
|
3. Тиристор диодный симметричный |
|
4. Тиристор триодный. Общее обозначение |
|
5. Тиристор триодный, запираемый в обратном направлении с управлением: |
|
по аноду |
|
по катоду |
|
6. Тиристор триодный выключаемый: | |
общее обозначение |
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду |
|
запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду |
|
7. Тиристор триодный, проводящий в обратном направлении: |
|
общее обозначение |
|
с управлением по аноду |
|
с управлением по катоду |
|
8. Тиристор триодный симметричный (двунаправленный) - триак |
|
9. Тиристор тетроидный, запираемый в обратном направлении |
|
Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.
8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N-переходами приведены в табл.7.
Таблица 7
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор |
|
а) типа PNP |
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
2. Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
3. Транзистор лавинный типа NPN |
|
4. Транзистор однопереходный с N-базой |
|
5. Транзистор однопереходный с P-базой |
|
6. Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
7. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от |
|
8. Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от |
|
9. Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл.8.
Таблица 8
Наименование | Обозначение |
1. Транзистор полевой с каналом типа N |
|
2. Транзистор полевой с каналом типа P |
|
3. Транзистор полевой с изолированным затвором без вывода от подложки: |
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
4. Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
5. Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
6. Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
7. Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
8. Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
|
Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.
10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.
Таблица 9
Наименование | Обозначение |
1. Фоторезистор: |
|
а) общее обозначение |
|
б) дифференциальный |
|
2. Фотодиод |
|
3. Фоторезистор |
|
4. Фототранзистор: |
|
а) типа PNP |
|
б) типа NPN |
|
5. Фотоэлемент |
|
6. Фотобатарея |
|
11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл.10
Таблица 10
Наименование | Обозначение |
1. Оптрон диодный |
|
2. Оптрон тиристорный |
|
3. Оптрон резисторный |
|
4. Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
а) совмещенно |
|
|
|
б) разнесенно |
|
5. Прибор оптоэлектронный с фототранзистором: |
|
а) с выводом от базы |
|
б) без вывода от базы |
|
