Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. N 2). |
|
2. Электроды: |
|
база с одним выводом | |
база с двумя выводами | |
Р-эмиттер с N-областью | |
N-эмиттер с P-областью | |
несколько Р-эмиттеров с N-областью | |
несколько N-эмиттеров с P-областью | |
коллектор с базой | |
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе | |
3. Области: |
|
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью | |
Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
область собственной электропроводности (I-область): |
|
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP | |
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN | |
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP | |
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN | |
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: |
|
обогащенного типа | |
обедненного типа | |
5. Переход PN | |
6. Переход NP | |
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип | |
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип | |
9. Затвор изолированный | |
10. Исток и сток | |
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
электрически не соединенные с корпусом | |
электрически соединенные с корпусом | |
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.