Статус документа
Статус документа

ГОСТ 2.730-73 Единая система конструкторской документации (ЕСКД). Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые (с Изменениями N 1-4)

Таблица 1

Наименование

Обозначение

1. (Исключен, Изм. N 2).

  

2. Электроды:

  

база с одним выводом


база с двумя выводами

Р-эмиттер с N-областью


N-эмиттер с P-областью


несколько Р-эмиттеров с N-областью


несколько N-эмиттеров с P-областью


коллектор с базой


несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе


3. Области:

  

область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью


Переход от Р-области к N-области и наоборот

  

область собственной электропроводности (I-область):

  

1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP


2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN


3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP


4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN


4. Канал проводимости для полевых транзисторов:

  

обогащенного типа


обедненного типа


5. Переход PN


6. Переход NP


7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип


8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип


9. Затвор изолированный


10. Исток и сток

Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например:

  

11. Выводы полупроводниковых приборов:

  

электрически не соединенные с корпусом


электрически соединенные с корпусом


12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку


     

     (Измененная редакция, Изм. N 2, 3).

     3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
     * Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).

     5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.