ГОСТ 20003-74
Группа Э00
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
Термины, определения и буквенные обозначения параметров
Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
МКС 01.040.31
31.080.30
ОКСТУ 6201
Дата введения 1975-07-01
Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. N 1799 дата введения установлена 01.07.75
ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985 г. (ИУС 12-82, 9-85).
Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".
Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона ; время включения биполярного транзистора
; время включения полевого транзистора
.
Термин | Буквенное обозначение | Определение | ||
отечест- венное | междуна- родное | |||
1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера | |||
E. Collector cut-off current | ||||
F. Courant | ||||
2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора | |||
E. Emitter cut-off current | ||||
F. Courant | ||||
3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора | - | Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер | ||
D. Kollektor-Emitter-Reststrom | ||||
E. Collector-emitter cut-off current | ||||
F. Courant | ||||
________________
| ||||
4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom | Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база | |||
E. Base cut-off current | ||||
F. Courant | ||||
5. Критический ток биполярного транзистора | - | Значение тока коллектора, при достижении которого значение | ||
6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера | |||
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |||
E. Saturation collector-emitter voltage | ||||
F. Tension de saturation | ||||
8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter- | Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора | |||
E. Saturation baseemitter voltage | ||||
F. Tension de saturation | ||||
9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage | Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю | |||
F. Tension flottante | ||||
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de | Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база | |||
11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю | |||
Е. Breakdown emitter-base voltage | ||||
F. Tension de claquage | ||||
12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю | |||
Е. Breakdown collector-base voltage | ||||
F. Tension de claquage collecteur-base | ||||
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | - | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора | ||
Е. Breakdown collector-emitter voltage | ||||
F. Tension de claquage | ||||
________________
при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, при коротком замыкании в цепи база-эмиттер при заданном обратном напряжении база-эмиттер | ||||
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand |
| Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance | ||||
F. Valeur de | ||||
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. |
| Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току | ||
Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio | ||||
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, | ||||
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. |
| Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio | ||||
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | ||||
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте | |||
D. Betrag der in Emitterschaltung bei HF | ||||
Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio | ||||
F. Module du rapport de transfert direct du courant | ||||
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert |
| Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току | ||
Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de sortie, | ||||
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала | Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером | |||
Е. Static value of the input resistance | ||||
F. Valeur statique de la | ||||
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером | |||
Е. Static value of the forward current transfer ratio | ||||
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | ||||
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert |
| Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance | ||||
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer |
| Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, | ||||
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer |
| Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | ||||
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером | |||
D. Betrag des | ||||
Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | ||||
F. Module de l'admittance de transfert direct | ||||
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert |
| Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе | ||
Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance | ||||
F. Valeur de l'admittance de sortie, | ||||
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер | |||
D. Statische | ||||
Е. Static value of the forward transconductance | ||||
F. Pente statique de transfert direct | ||||
27. Входная емкость биполярного транзистора D. |
| Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала | ||
Е. Input capacitance | ||||
F. | ||||
28. Выходная емкость биполярного транзистора D. |
| Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала | ||
Е. Output capacitance | ||||
F. | ||||
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. |
|
| Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала | |
Е. Feedback capacitance | ||||
F. | ||||
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der | Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением | |||
Е. Cut-off frequency | ||||
F. | ||||
30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. Е. Transition frequency F. | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву | |||
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора | Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора | |||
Е. Maximum frequency of oscillation | ||||
F. | ||||
32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl | Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала | |||
Е. Noise figure | ||||
F. Facteur de bruit | ||||
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl | Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума | |||
Е. Minimal noise figure | ||||
F. Facteur de bruit minimum | ||||
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Е. Equivalent noise voltage | Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным | |||
F. Tension de bruit | ||||
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора | Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения | |||
Ндп. Степень насыщения | ||||
Е. Saturation coefficient | ||||
F. Coefficient de saturation | ||||
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. | Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения | |||
Е. Power gain | ||||
F. Gain en puissance | ||||
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale | Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума | |||
Е. Optimal power gain | ||||
F. Gain de puissance optimum | ||||
35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad | Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания | |||
Е. Collector efficiency | ||||
F. | ||||
36. Время задержки для биполярного транзистора D. Е. Delay time | Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |||
F. Retard | ||||
37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit Е. Rise time | Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды | |||
F. Temps de croissance | ||||
38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit Е. Carrier storage time | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня | |||
F. Retard | ||||
39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit | Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды | |||
Е. Fall time | ||||
F. Temps de | ||||
40. Время включения биполярного транзистора | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания | |||
D. Einschaltzeit | ||||
Е. Turn-on time | ||||
F. Temps total | ||||
41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit Е. Turn-off time | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения | |||
F. Temps total de coupure | ||||
42. Сопротивление базы биполярного транзистора | Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер | |||
D. Basisbahnwiderstand | ||||
Е. Base intrinsic resistance | ||||
F. | ||||
43. Емкость эмиттерного перехода D. | Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи | |||
Е. Emitter capacitance | ||||
F. | ||||
44. Емкость коллекторного перехода D. | Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи | |||
Е. Collector capacitance | ||||
F. | ||||
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода | |||
D. | ||||
Е. Collector-base time constant | ||||
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor |
|
| Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. |
|
| Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. |
|
| Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor |
|
| Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению | |
50. Постоянный ток коллектора | Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход | |||
D. Kollektorgleichstrom | ||||
Е. Collector (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de collecteur | ||||
51. Постоянный ток эмиттера | Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход | |||
D. Emittergleichstrom | ||||
Е. Emitter (d.с.) current | ||||
F. Courant continu d'emetteur | ||||
52. Постоянный ток базы | Постоянный ток, протекающий через базовый вывод | |||
D. Basisgleichstrom | ||||
Е. Base (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de base | ||||
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения | - | |||
Е. Saturation collector current | ||||
F. Courant de saturation collecteur | ||||
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения | - | |||
Е. Saturation base current | ||||
F. Courant de saturation base | ||||
55. Импульсный ток коллектора | - | Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса | ||
56. Импульсный ток эмиттера | - | Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса | ||
57. Постоянное напряжение эмиттер-база | Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы | |||
D. Emitter-Basis-Spannung | ||||
Е. Emitter-base (d.с.) voltage | ||||
F. Tension continue | ||||
58. Постоянное напряжение коллектор-база | Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы | |||
D. Kollektor-Basis-Spannung | ||||
Е. Collector-base (d.с.) voltage | ||||
F. Tension continue collecteur-base | ||||
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера | |||
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | ||||
Е. Collector-emitter (d.с.) voltage | ||||
F. Tension continue | ||||
________________
при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база | ||||
60. Выходная мощность биполярного транзистора | Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте | |||
D. Ausgangsleistung | ||||
Е. Output power | ||||
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе | |||
D. Gesamtverlustleistung | ||||
Е. Total input power (d.c.) to all electrodes | ||||
F. Puissance totale | ||||
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе | |||
D. Mittlere Verlustleistung | ||||
Е. Total input power (average) to all electrodes | ||||
F. Puissance totale | ||||
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | - | |||
D. Impulsverlustleistung | ||||
F. Peak power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |||
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung | ||||
Е. Collector (d.c.) power dissipation | ||||
F. Puissance | ||||
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора | |||
D. Mittlere Kollektorverlustleistung | ||||
Е. Collector (average) power dissipation | ||||
F. Ruissance | ||||
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е. Peak envelope power | Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами | |||
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е. Third order intermodulation products factor | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |||
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е. Fifth order intermodulation products factor | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд | |||
Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** | ||||
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum collector (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de collecteur maximal | ||||
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum emitter (d.с.) current | ||||
F. Courant continu d'emetteur maximal | ||||
68. Максимально допустимый постоянный ток базы | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum base (d.с.) current | ||||
F. Courant continu de base maximal | ||||
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum peak collector current | ||||
F. Courant de | ||||
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum peak emitter current | ||||
F. Courant de | ||||
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения | - | |||
Е. Maximum saturation collector current | ||||
F. Courant de saturation collecteur maximal | ||||
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения | - | |||
Е. Maximum saturation base current | ||||
F. Courant de saturation base maximal | ||||
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage | ||||
F. Tension continue | ||||
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage | ||||
F. Tension continue collecteur-base maximale | ||||
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер | - | |||
D. Maximal | ||||
Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage | ||||
F. Tension continue | ||||
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер | - | |||
D. Maximal | ||||
E. Maximum peak collector-emitter voltage | ||||
F. Tension de maximale | ||||
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база | - | |||
D. Maximal | ||||
E. Maximum peak collector-base voltage | ||||
F. Tension de | ||||
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | - | |||
D. Maximal | ||||
E. Maximum collector power dissipation (d.c.) | ||||
F. Puissance | ||||
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора | - | - | ||
E. Maximum collector power dissipation (average) | ||||
F. Puissance | ||||
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | - | |||
D. Maximal | ||||
E. Maximum peak power dissipation | ||||
F. Puissance |