ГОСТ 18604.3-80*
(СТ СЭВ 3999-83)

Группа Э29

     

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ

Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов

Transistors bipolar. Methods for measuring collector
and emitter capacitances*

______________

* Наименование стандарта. Измененная редакция, Изм. N 2.      

     

ОКП 62 2312      

Дата введения 1982-01-01

Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 4 июля 1980 г. N 3392 срок действия установлен с 01.01.82 до 01.01.87**

________________

** Ограничение срока действия снято постановлением Госстандарта СССР от 17.09.91 N 1454 (ИУС N 12, 1991 год). - Примечание изготовителя базы данных.

ВЗАМЕН ГОСТ 18604.3-73

* ПЕРЕИЗДАНИЕ (декабрь 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в апреле 1984 г. (ИУС 8-84).

ВНЕСЕНО Изменение N 2, утвержденное и введенное в действие Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 25.06.87 N 2537 с 01.10.87

Изменение N 2 внесено изготовителем базы данных по тексту ИУС N 10, 1987 год

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов:

с использованием резистивно-емкостного делителя,

с использованием моста.

Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности.

Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности.

Общие требования при измерении и требования безопасности - по ГОСТ 18604.0-83.

(Измененная редакция, Изм. N 2).     

1. МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ И С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ
РЕЗИСТИВНО-ЕМКОСТНОГО ДЕЛИТЕЛЯ*

______________

* Наименование раздела. Измененная редакция, Изм. N 2.     

1.1. Условия измерения

1.2. Частоту измерения, постоянное напряжение источника питания транзистора указывают в стандартах или технических условиях на транзисторы конкретных типов (далее - стандартах).

Частоту измерения выбирают из ряда: 465 кГц, 1, 2, 5, 10, 30, 100, 300 МГц.

1.3. Измерения производят на малом переменном сигнале.

1.1-1.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2. АППАРАТУРА

2.1. Емкость следует измерять на установке, структурная электрическая схема которой приведена на черт.1. Емкость измеряют по этой же схеме, при этом эмиттер и коллектор меняют местами.

- измеряемый транзистор; - элемент для развязки; , - конденсаторы;
  - электронный измеритель напряжения; - токосъемный резистор; - генератор сигналов;
  - измеритель напряжения

Черт.1

Для измерения допускается применять установку, схема которой отличается от схемы, приведенной на черт.1, тем, что генератор сигналов и электронный измеритель напряжения (далее - прибор ) меняют местами (например, при заземленном корпусе транзистора), при этом токосъемный резистор переносят в цепь коллектора.

2.2. Сопротивление токосъемного резистора выбирают из соотношения

,

     
где - емкость измеряемого перехода;

- угловая частота измерения.

В качестве токосъемного элемента может быть использовано входное сопротивление электронного измерителя напряжения , которое должно удовлетворять условию

.

2.3. Емкость разделительного конденсатора выбирают из соотношения

,

     
где - выходное сопротивление генератора сигналов.

Конденсатор отсутствует в схеме черт.1, если генератор имеет на выходе собственную разделительную емкость.

2.1-2.3. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2.4. Выходное сопротивление генератора сигналов выбирают из соотношения

.

2.5. Емкость блокировочного конденсатора выбирают из соотношения

,

где - модуль полного сопротивления элемента для развязки.

В качестве может быть использован резистор, индуктивность или резонансный контур, настроенный на частоту измерения.        

2.6. Активную составляющую полного сопротивления элемента для развязки выбирают из соотношения

,

     
где - напряжение источника питания коллектора;

- обратный ток коллектора, указывают в стандартах.

2.7. При измерении СВЧ транзисторов допускается:

соединять вывод корпуса с корпусом схемы измерения (с землей), если имеется изолированный корпусной вывод и ни один из электродов транзистора не соединен с корпусом:

применять прибор с входным сопротивлением, равным стандартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом. При этом токосъемным элементом, с которого снимают напряжение, пропорциональное измеряемой емкости, является параллельное соединение резистора и входного сопротивления прибора ;

выбирать активную составляющую полного сопротивления , равную стандартному волновому сопротивлению 50 или 75 Ом;          

в качестве токосъемного элемента использовать конденсатор, значение емкости которого должно быть не менее чем в 100 раз больше емкости измеряемого перехода. При этом токосъемный конденсатор шунтируют резистором, значение сопротивления которого выбирают из соотношения

.

2.8. Уровень наводок прибора , вызванных пульсацией напряжения источника питания транзистора , а также внутренними и внешними наводками в схеме при отсутствии измеряемого сигнала, должен быть не более 5% конечного значения шкалы для стрелочных измерителей и не более 2% напряжения сигнала для измерителей с дискретным отсчетом.

2.5-2.8. (Измененная редакция, Изм. N 2).

2.9. Нестабильность чувствительности прибора , нестабильность амплитуды и частоты генератора должны обеспечивать постоянство калибровки с погрешностью ±10% в течение часа работы.

2.10. В справочном приложении представлены примеры схем измерения емкостей и СВЧ транзисторов в соответствии со схемой измерения черт.1 и с учетом дополнительных требований п.2.7.

2.11. Емкости контактодержателя должны удовлетворять требованиям:

,

,

     
где - емкость между контактами коллектор-база контактодержателя, пФ;

- емкость между контактами эмиттер-база контактодержателя, пФ;

- емкость между контактами коллектор-эмиттер контактодержателя, пФ.

Если емкость соизмерима с емкостью , то вывод эмиттера в схеме, приведенной на черт.1, следует заземлять через емкость не менее 200 пФ. Пример электрической схемы измерения приведен на черт.5 приложения.