СОГЛАШЕНИЕ

между Правительством Российской Федерации
и Правительством Республики Белоруссия о сотрудничестве
в области создания оптико-механического и контрольного
оборудования для производства сверхбольших интегральных схем
с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм

Правительство Российской Федерации и Правительство Республики Белоруссия, в дальнейшем именуемые Сторонами, основываясь на положениях:

Соглашения о научно-техническом сотрудничестве в рамках государств - участников Содружества Независимых Государств, подписанного 13 марта 1992 г.,

Соглашения об общих условиях и механизме поддержки развития производственной кооперации предприятий и отраслей государств участников Содружества Независимых Государств, подписанного 23 декабря 1993 г.,

согласились о нижеследующем:

Статья 1

Стороны обеспечат необходимые условия для реализации совместной российско-белорусской научно-технической программы "Разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства сверхбольших интегральных схем с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм" (далее именуется Программа), являющейся неотъемлемой частью настоящего Соглашения.

Статья 2

Органами, ответственными за реализацию обязательств Сторон по настоящему Соглашению, являются:

с Российской Стороны - Государственный комитет Российской Федерации по оборонным отраслям промышленности;

с Белорусской Стороны - Министерство промышленности Республики Белоруссия.

Статья 3

Ответственные органы в 3-месячный срок после вступления в силу настоящего Соглашения определят головных исполнителей Программы с каждой Стороны и заключат с ними соответствующие договоры.

Статья 4

Финансирование работ осуществляется в пределах ежегодных бюджетных ассигнований на указанные цели в соответствии с Программой в порядке, согласованном ответственными органами и министерствами финансов Российской Федерации и Республики Белоруссия.

Статья 5

По завершении разработки отдельных типов оборудования Российская Сторона пользуется преимущественным правом на его приобретение при серийном производстве.

Порядок распределения прибыли от реализации серийной продукции, созданной в рамках настоящего Соглашения, определяется контрактами (договорами), заключенными предприятиями Российской Федерации и Республики Белоруссия.

Статья 6

Взаимные поставки сырья, материалов, полуфабрикатов, комплектующих изделий, оборудования, учебного и вспомогательного имущества, услуги технологического и научно-технического характера в рамках настоящего Соглашения осуществляются в соответствии с законодательством Российской Федерации и законодательством Республики Белоруссия на основе контрактов (договоров), заключаемых их хозяйствующими субъектами.

Статья 7

Каждая из Сторон не будет продавать и передавать третьей стороне, в том числе иностранным физическим и юридическим лицам и международным организациям, взаимопоставляемую и созданную в рамках настоящего Соглашения продукцию, научную и техническую информацию о ней, результаты исследований, а также использовать изобретения, ноу-хау без предварительного разрешения ответственного органа другой Стороны.

Статья 8

Разногласия в связи с толкованием и применением положений настоящего Соглашения разрешаются Сторонами путем переговоров.

Статья 9

Настоящее Соглашение заключается сроком на четыре года и будет автоматически продлеваться каждый раз на последующий год, если ни одна из Сторон не уведомит другую Сторону в письменной форме не позднее шести месяцев до истечения очередного срока действия Соглашения о своем намерении прекратить его действие.

Настоящее Соглашение вступает в силу с даты обмена письменными уведомлениями о выполнении Сторонами необходимых для этого внутригосударственных процедур*.

___________     

* Соглашение вступило в силу 16 июля 1996 г.

Совершено в Москве 13 июня 1996 г., в двух экземплярах на русском языке, причем оба текста имеют одинаковую силу.

Совместная российско-белорусская
научно-техническая программа "Разработка и создание
оптико-механического и контрольного оборудования
для производства сверхбольших интегральных  схем
с  топологическими элементами 0,8-0,5 мкм"

1. Введение

Процессы литографии являются определяющими при проектировании и производстве сверхбольших интегральных схем (далее именуются - СБИС). Уровень специального технологического оптико-механического оборудования, устойчивость и прецизионность технологии генерации и переноса изображения служат базисом создания нового поколения СБИС. Все технологические программы США, Европы и Японии в качестве первичной и основополагающей задачи содержат разработку нового класса литографического оборудования (степперы, контрольное оборудование и т.д.), оптимизацию технологии (фазосдвигающие шаблоны, мембранные защитные покрытия, контроль и аттестация промежуточных шаблонов, высококонтрастные стабильные метки автоматического совмещения и т.д.).

Классификация уровня технологии СБИС по размерам элементов не является искусственной, а определяет соответствующий уровень технологии производства, в которой доминирующими являются литографические процессы.

2. Исполнители Программы

Исполнителями настоящей Программы являются ведущие предприятия микроэлектроники России и электронного машиностроения Белоруссии, входящие в научно-техническую ассоциацию по микроэлектронным технологиям "Субмикро". Головными организациями по ее выполнению определены: с Российской Стороны - научно-техническая ассоциация "Субмикро", с Белорусской Стороны - государственный научно-производственный концерн машиностроения "Планар".

3. Цель Программы

Целью настоящей Программы является разработка и создание оптико-механического и контрольного оборудования для производства СБИС с топологическими элементами 0,8-0,5 мкм и отработка технологических процессов на его базе.

4. Основные показатели Программы

4.1. Технология 0,6-0,8 мкм.:

Прецизионность -(плюс,минус)15 мкм.

Погрешность совмещения - не более 0,15 мкм.

Размер единичного модуля - 20х20 мм.

Диаметр пластин - 150 мм.

Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв.см на слой.

Производительность - не менее 40 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля 400 кв.мм).

4.2. Технология 0,5 мкм.:

Прецизионность - (плюс,минус)1 мкм.

Погрешность совмещения - не более 0,1 мкм.

Размер единичного модуля - 15х20 мм.

Диаметр пластин - 150 мм.

Дефектность (размер дефекта более 0,2 мкм) - не более 0,05 дефектов/кв.см на слой.

Производительность - не менее 30 пластин/час (диаметр - 150 мм, площадь единичного модуля 300 кв.мм).

5. Основные этапы выполнения Программы

5.1. Разработка и изготовление установок проекционной фотолитографии с совмещением:

степперы для СБИС 0,8 мкм;

степперы для СБИС 0,6 мкм;

степперы для СБИС 0,4-0,5 мкм.

5.2. Разработка и изготовление установок лазерной ретуши для промежуточных шаблонов.

5.3. Разработка и изготовление комплекта контрольного оборудования, всего 9 наименований.

5.4. Отработка технологических процессов - по мере готовности оборудования. Оборудование будет внедрено на пилотных линиях ведущих предприятий микроэлектроники России.

6. Ожидаемые результаты реализации Программы

Выполнение настоящей Программы позволит создать базовое технологическое оборудование проекционной литографии для дальнейшей разработки и выпуска следующих видов СБИС: динамических оперативных запоминающих устройств класса 16 мегабит, базовых матричных кристаллов на 100000 - 1000000 логических вентилей, 32-разрядных микропроцессоров с тактовой частотой 60-200 МГц. Технологический процесс, реализованный на этом оборудовании, будет обладать высокой прецизионностью и устойчивостью к действию внешних факторов, низкой привносимой дефектностью, что обеспечит достижение 70-80 процентов выхода годных СБИС при условии решения всех остальных технологических проблем.

Экономический эффект от реализации настоящей Программы составит 80-100 миллиардов рублей в год в ценах мая 1995 г.

7. Финансирование Программы

          Приведенные в таблице данные отражают затраты Российской Стороны, связанные с разработкой и изготовлением опытных образцов оборудования.

Затраты Белорусской Стороны на подготовку производства 20-25 степперов и 30-40 единиц контрольного оборудования в год эквивалентны затратам Российской Стороны.

8. План реализации Программы

       Примечания:

1. В процессе выполнения настоящая Программа может корректироваться по согласованию Сторон.

2. Координацию работ по Программе и контроль за ее выполнением  осуществляет  научно-техническая  ассоциация  по микроэлектронным технологиям "Субмикро".