ГОСТ Р 71649-2024

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

РЕЗИСТЫ ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ, ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ФОТОШАБЛОНОВ

Общие технические требования

Resists for integrated circuits, semiconductor devices and photomasks. General technical requirements

ОКС 29.100.10

Дата введения 2025-03-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Электронная компонентная база, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 1 октября 2024 г. № 1343-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. № 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.rst.gov.ru)

     1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает общие технические требования на резисты, предназначенные для производства интегральных микросхем (ИМС), полупроводниковых приборов (ППП) и фотошаблонов.

Настоящий стандарт следует применять при разработке технических заданий (ТЗ) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы и программ испытаний опытных образцов, а также на стадиях разработки и утверждения технических условий (ТУ) на резисты.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и производственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве, эксплуатации резистов, предназначенных для производства ИМС, ППП и фотошаблонов, в соответствии с действующим законодательством.

     2 Нормативные ссылки

В настоящем стандарте использованы нормативные ссылки на следующие стандарты:

ГОСТ 33 Нефть и нефтепродукты. Прозрачные и непрозрачные жидкости. Определение кинематической и динамической вязкости

ГОСТ 3885 Реактивы и особо чистые вещества. Правила приемки, отбор проб, фасовка, упаковка, маркировка, транспортирование и хранение

ГОСТ 10028 Вискозиметры капиллярные стеклянные. Технические условия

ГОСТ 20216 Латексы. Метод определения поверхностного натяжения

ГОСТ 22001 Реактивы и особо чистые вещества. Метод атомно-абсорбционной спектрометрии определения примесей химических элементов

ГОСТ 27025 Реактивы. Общие указания по проведению испытаний

ГОСТ Р ИСО 14644-1 Чистые помещения и связанные с ними контролируемые среды. Часть 1. Классификация чистоты воздуха по концентрации частиц

Примечание - При пользовании настоящим стандартом целесообразно проверить действие ссылочных стандартов в информационной системе общего пользования - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет или по ежегодному информационному указателю "Национальные стандарты", который опубликован по состоянию на 1 января текущего года, и по выпускам ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты" за текущий год. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана недатированная ссылка, то рекомендуется использовать действующую версию этого стандарта с учетом всех внесенных в данную версию изменений. Если заменен ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, то рекомендуется использовать версию этого стандарта с указанным выше годом утверждения (принятия). Если после утверждения настоящего стандарта в ссылочный стандарт, на который дана датированная ссылка, внесено изменение, затрагивающее положение, на которое дана ссылка, то это положение рекомендуется применять без учета данного изменения. Если ссылочный стандарт отменен без замены, то положение, в котором дана ссылка на него, рекомендуется применять в части, не затрагивающей эту ссылку.

     3 Термины, определения и сокращения

3.1 В настоящем стандарте применены следующие термины с соответствующими определениями:

3.1.1 резист: Материал, изменяющий свои физико-химические свойства под воздействием определенного излучения и предназначенный для формирования рельефного изображения в процессе литографии.

3.1.2 литография: Совокупность физико-химических процессов формирования в слое резиста под воздействием излучений микроизображения элементов схемы полупроводникового прибора и его переноса на подложку.

3.1.3 позитивный резист: Резист, у которого под воздействием актиничного излучения растворимость в проявителе увеличивается.

3.1.4 негативный резист: Резист, у которого под воздействием актиничного излучения растворимость в проявителе уменьшается.

3.1.5 чувствительность к излучению: Свойство резиста, характеризующее его способность к изменению физико-химических свойств под воздействием излучений.

3.1.6 актиничное излучение: Световой поток, вызывающий фотохимические реакции в резисте и изменение растворимости облученных областей.

3.1.7 разрешающая способность: Параметр резиста, позволяющий формировать изображение массивов из элементов резиста минимального размера, разделенных промежутками такой же ширины.

3.1.8 стойкость к проявителю: Параметр резиста, характеризующий его способность противостоять воздействию проявителя в течение определенного времени, с сохранением соответствующих характеристик.

3.1.9

Примечание - Также применяют термин "гамма-контраст".

3.1.10 адгезия пленки резиста: Свойство резиста, характеризующее способность слоя резиста препятствовать отслоению резиста от подложки при воздействии жидких реагентов, используемых в процессах литографии.

3.2 В настоящем стандарте использованы следующие сокращения:

ИМС - интегральная микросхема;

ППП - полупроводниковый прибор;

ТЗ - техническое задание;

ТУ - технические условия;

О-НХД - орто-нафтохинондиазидные группы.

     4 Технические требования

4.1 Общие требования

4.1.1 Резисты следует разрабатывать исходя из необходимости получения требуемых размеров элементов ИМС и ППП, при этом резисты должны удовлетворять требованиям литографических процессов и обеспечивать создание защитного рельефа требуемой конфигурации с необходимой разрешающей способностью, чувствительностью, стойкостью к воздействию агрессивных сред, адгезией к полупроводниковой подложке.

4.1.2 Выполнение требований, изложенных в 4.1.1, обеспечивают выбором соответствующих контролируемых физико-химических параметров резиста. При отсутствии корреляционной связи между контролируемыми параметрами и требованиями 4.1.1 выполнение этих требований допускается подтверждать косвенными параметрами, характеризующими процессы литографии.

4.1.3 Исходное сырье, используемое для изготовления резистов, должно соответствовать требованиям стандартов и ТУ.

4.1.4 Качество исходного сырья и полупродуктов должно быть подтверждено клеймами, сертификатами или протоколами испытаний отделом технического контроля предприятия-поставщика.

4.1.5 Резисты не должны быть токсичными, взрывоопасными, пожароопасными. При невозможности получения резистов с такими свойствами, в процессе выполнения разработки должны быть определены условия их применения и меры безопасности, исключающие вредное воздействие на организм.

4.1.6 При разработке резистов для проведения контроля на соответствие заданным требованиям, в случае отсутствия стандартного оборудования, следует разрабатывать необходимое контрольно-измерительное оборудование и методы контроля.

Разработанное оборудование и методы должны пройти метрологическую аттестацию.

4.2 Требования к внешнему виду

Требования к внешнему виду резиста устанавливают в ТУ и/или при необходимости в ТЗ.

4.3 Требования к химическому составу