4.1 ТП ЛМ включает в себя следующие этапы:
- подготовку технологического оборудования и материалов;
- подготовку и механическую обработку деталей;
- реализацию ЛМ;
- контроль качества ЛМ.
4.2 В результате реализации ТП ЛМ на металлическом изделии должны быть получены информационные и идентификационные изображения с геометрическими параметрами, соответствующими цифровой модели, и контрастностью, достаточной для ее визуального и машинного детектирования (считывания).
4.3 Требования к помещениям
ТП ЛМ следует осуществлять в условиях производственных помещений, оборудованных вентиляцией и отоплением в соответствии с требованиями СП 60.13330.2016, норм проектирования освещения по СП 52.13330.2016, имеющих весь необходимый перечень оборудования для выполнения ТП ЛН, а также транспортирования деталей, в том числе крупногабаритных.
Производственные помещения должны соответствовать требованиям СП 56.13330.2011, ГОСТ 30494.
4.4 Требования к технологическому оборудованию и оснастке
4.4.1 Лазерное технологическое оборудование должно соответствовать требованиям ГОСТ IEC 60825-1, ГОСТ ЕН 12626, ГОСТ 12.1.040, ГОСТ 12.2.003, ГОСТ Р 51839.1.
4.4.2 Для реализации ТП используют ЛУ с достаточными энергетическими характеристиками для осуществления ЛМ, измерительную аппаратуру, обеспечивающую контроль заданных технологических параметров режима ЛМ.
4.4.3 Для реализации ТП ЛМ применяют ЛУ, состоящую из лазерного модуля, лазерной маркирующей головки, СПЛ и изделия.
4.4.4 Излучатель и лазерная маркирующая головка, применяемые в ТП ЛМ, должны соответствовать следующим требованиям:
- КПД - не менее 20%;
- длина волны - минимальная из доступных к использованию, мкм;
- произведение параметров пучка - менее 10 мм • мрад;
- параметр М2 - не более 1,5;
- диаметр лазерного пучка в перетяжке - не более 40 мкм;
- стабильность выходной мощности - не менее 3%;
- пиковая мощность - не менее 10 кВт;
- средняя мощность - от 5 до 100 Вт;
- плотность мощности сфокусированного излучения - от 10 до 10 Вт/см;
- диапазон частот повторения импульсов - от 1,2 до 1000 кГц;
- длительность импульсов - от 1 до 200 нс;