ГОСТ Р 58857-2020 Ракетно-космическая техника. Электронная компонентная база. Общие положения

Вид эффекта от воздействия ИИ КП

Описание эффекта от ИИ КП

Дозовая стойкость

Уровень стойкости изделия к воздействию ионизирующих излучений космического пространства по дозовым эффектам

Критерий радиационной стойкости изделия

Признак или граничное условие, связанное с определяющими радиационную стойкость параметрами, используемые при оценке соответствия изделия заданным требованиям по радиационной стойкости

Линейная передача энергии тяжелой заряженной частицы, ЛПЭ ТЗЧ (МэВ·см/мг)

Энергия, передаваемая тяжелой заряженной частицей в процессах ионизации на единицу длины пробега частицы в облучаемом материале (линейная передача энергии, МэВ/см, отнесенная к плотности облучаемого материала)

Многократные сбои (MBU, MCU, SMU)

Несколько одиночных сбоев в элементах памяти и регистровых структурах, возникших одновременно в соседних элементах при воздействии отдельного протона или отдельной тяжелой заряженной частицы

Область безопасной работы мощных МДП-транзисторов

Диапазоны электрических режимов (значений напряжений затвор-исток и сток-исток) для каждого значения ЛПЭ тяжелой заряженной частицы и/или энергии высокоэнергетического протона, при которых отсутствует возникновение эффектов SEB или SEGR, а также латентных повреждений, вследствие воздействия отдельного высокоэнергетического протона или отдельной тяжелой заряженной частицы

Одиночный микродозовый эффект (SEHE - Single Event hard Error)

Отказ отдельного транзистора или элемента памяти изделия (компонента) ЭКБ, связанный с локальным накоплением радиационно-индуцированного заряда в подзатворных и изолирующих диэлектриках

Одиночный сбой в элементах памяти и регистровых структурах (SEU - Single Event Upset)

Инвертирование логического состояния бистабильных цифровых схемотехнических элементов и элементов памяти любых других типов, вызванное воздействием отдельного высокоэнергетического протона, или отдельной тяжелой заряженной частицы, или эквивалентным испытательным воздействием

Одиночный тиристорный эффект (SEL - Single Event Latchup)

Отказ изделия, обусловленный включением, вследствие воздействия отдельного высокоэнергетического протона или отдельной тяжелой заряженной частицы, паразитных четырехслойных полупроводниковых структур (тиристорных структур), вызывающим резкое возрастание тока потребления и полную или частичную потерю работоспособности изделия, восстановление которой осуществляется путем отключения и повторного включения питания при условии отсутствия пережогов проводников и пробоев р-n переходов

Одиночное функциональное прерывание (SEFI - Single Event Functional Interrupt)

Функциональный отказ программно-управляемого цифрового устройства, возникающий вследствие воздействия отдельного протона или отдельной тяжелой заряженной частицы, в форме некорректного выполнения заданной программы, включая прерывание работы устройства, и после возникновения которого работоспособность устройства восстанавливается после перезагрузки управляющей программы

Одиночный эффект вторичного пробоя в МОП- и КНИ-транзисторах (SESB - Single Event Snapback)

Отказ изделия, обусловленный включением, вследствие воздействия отдельного высокоэнергетического протона или отдельной тяжелой заряженной частицы, паразитного биполярного транзистора, вызывающим резкое возрастание тока потребления и полную или частичную потерю работоспособности изделия, восстановление которой осуществляется путем отключения и повторного включения питания при условии отсутствия пережогов проводников и пробоев р-n переходов

Одиночный эффект выгорания (SEB - Single Event Burnout)

Выгорание МДП-транзистора вследствие возникновения вторичного пробоя стокового р-n-перехода, вызванного воздействием отдельного высокоэнергетического протона или отдельной тяжелой заряженной частицы

Одиночный эффект переходной ионизационной реакции (SET - Single Event Transient)

Переходная ионизационная реакция в виде импульсов напряжения, вызванных воздействием отдельного высокоэнергетического протона, или отдельной тяжелой заряженной частицы, или эквивалентным испытательным воздействием

Одиночный эффект пробоя диэлектрика (SEGR/SEDR - Single Event Gate/Dielectric Rapture)

Пробой диэлектрика МДП-структуры, вызванный воздействием отдельного высокоэнергетического протона или отдельной тяжелой заряженной частицы

Предельная накопленная доза

Обобщенный нормативный показатель радиационной стойкости изделия, определяемый поглощенной дозой ионизирующих излучений космического пространства, при которой параметры изделий достигают пределов установленных норм при заданной вероятности и степени доверия

Поглощенная доза

Отношение средней энергии dE, переданной ионизирующим излучением веществу в элементарном объеме, к массе dm вещества в этом объеме, D = dE/dm

Полная неионизационная доза (доза структурных повреждений)

Энергия излучения, поглощенная в материале на единицу массы, вследствие смещения атомов

Флюенс частиц (фотонов) (интегральный поток) Ф, м

Отношение числа частиц (фотонов) dN, проникающих в элементарную сферу, к площади поперечного сечения этой сферы dS, Ф=dN/dS

Эффект низкой интенсивности излучения (ELDRS - Enhanced Low Dose Rate Sensitivity)

Повышенная чувствительность биполярных изделий к воздействию ионизирующего излучения с мощностью дозы ниже 1·10-1·10 Гр/с (SiO) по сравнению с мощностью дозы более 0,5 Гр/с (SiO)