• Текст документа
  • Статус
Действующий


ГОСТ Р 57436-2017

НАЦИОНАЛЬНЫЙ СТАНДАРТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

ПРИБОРЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ

Термины и определения

Semiconductor devices. Terms and definitions

ОКС 01.040.31, 31.080

Дата введения 2017-08-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом "Российский научно-исследовательский институт "Электронстандарт" (АО "РНИИ "Электронстандарт") совместно с Акционерным обществом "Центральное конструкторское бюро "Дейтон" (АО "ЦКБ "Дейтон")

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 "Изделия электронной техники, материалы и оборудование"

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 249-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ


Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ "О стандартизации в Российской Федерации". Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе "Национальные стандарты", а официальный текст изменений и поправок - в ежемесячном информационном указателе "Национальные стандарты". В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске ежемесячного информационного указателя "Национальные стандарты". Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя - на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области полупроводниковых приборов.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин.

Нерекомендуемые к применению термины-синонимы приведены в круглых скобках после стандартизованного термина и обозначены пометкой "Нрк".

Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при использовании термина во всех видах документации, входящих в сферу действия работ по стандартизации, при этом не входящая в скобки часть термина образует его краткую форму.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два термина, имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины приведены отдельно с указанием номера статьи.

В стандарте приведены иноязычные эквиваленты стандартизованных терминов на немецком (de), английском (en) и французском (fr) языках.

Термины и определения общетехнических понятий, необходимые для понимания текста стандарта, приведены в приложении А.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы - светлым, синонимы - курсивом.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий в области полупроводниковых приборов.

Термины, установленные настоящим стандартом, рекомендуются для применения во всех видах документации и литературы в области полупроводниковых приборов, входящих в сферу работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении полупроводниковых приборов в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

Виды полупроводниковых приборов

1

полупроводниковый прибор (semiconductor device): Устройство, основные электрические характеристики которого обусловлены потоком носителей зарядов внутри одного или более полупроводниковых материалов.

[ГОСТ IEC 60050-151-2014, статья 151-13-63]

de

halbleiterbauelement

en

semiconductor device

fr

dispositif ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs

2 мощный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для применения в силовых цепях электротехнических устройств с рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт.

de

halbleiter-power-ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

en

semiconductor power device

fr

semiconducteurs d'alimentation de l'appareil

3 полупроводниковый блок: Совокупность полупроводниковых приборов, соединенных по определенной электрической схеме и собранных в единую конструкцию, имеющую более двух выводов.

de

halbleiter-einheit

en

semiconductor assembly

fr

bloc de semiconducteur

4 набор полупроводниковых приборов: Совокупность полупроводниковых приборов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам.

de

satz von halbleiterbauelementen

en

semiconductor assembly set

fr

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения de dispositifs semiconducteurs

5 дискретный (полупроводниковый) прибор: Полупроводниковый прибор, предназначенный для выполнения элементарной функции, в котором не могут быть выделены отдельные функциональные компоненты.

de

diskretes halbleiterbauelement

en

discrete semiconductor device; discrete device

fr

discret dispositif ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs

6 (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый прибор с двумя выводами, имеющий несимметричную вольт-амперную характеристику.

de

halbleiterdiode; diode

Примечание - Если не указано особо, этим термином обозначают приборы с вольт-амперной характеристикой, типичной для единичного p-n перехода.

en

semiconductor diode; diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs; diode

7 смесительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования входящих высокочастотных сигналов в сигнал, частота которого отлична от частоты входящих сигналов.

de

mischerdiode

en

mixer diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

8 детекторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.

de

halbleiter-detektordiode; detektordiode

en

detector diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

9 выпрямительный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока.

de

halbleiter-gleichter diode

en

semiconductor rectifier diode; rectifier diode

fr

diode de redressement ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs; diode de redressement

10 лавинный выпрямительный диод: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеяния в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики.

de

lawinen gleichrichter diode

en

avalanche rectifier diode

fr

diode de redressement ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения avalanche

11 выпрямительный полупроводниковый диод с контролируемым лавинным пробоем: Выпрямительный полупроводниковый диод с заданными характеристиками максимального и минимального напряжения пробоя p-n перехода, предназначенный для работы в установившемся режиме в области пробоя p-n перехода обратной ветви вольт-амперной характеристики.

de

halbleiter-gleichter diode mit kontrollierbare avalanche durchbruch

en

controlled-avalanche rectifier diode

fr

diode de redressement ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs de rupture en avalanche controlee;
diode de redressement de rupture en avalanche controlee

12 выпрямительный (полупроводниковый) столб: Совокупность выпрямительных полупроводниковых диодов, соединенных последовательно и собранных в единую конструкцию, имеющую два вывода.

de

halbeiter-gleichrichterbaugruppe

en

semiconductor rectifier stack; rectifier stack

fr

bloc de redressement semiconducteur;
bloc de redressement

13 выпрямительный (полупроводниковый) блок: Полупроводниковый блок, собранный из полупроводниковых выпрямительных диодов.

de

gleichrichter halbleiter block;
gleichrichter block

en

semiconductor rectifier assembly

fr

assemblage de edressement ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs;
assemblage de edressement

14 ограничитель (полупроводниковый) напряжения; ПОН: Полупроводниковый диод, предназначенный для ограничения амплитуды импульсов перенапряжения.

de

begrenzerdiode

en

limiting diode

fr

diode de limitation

15 умножительный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для умножения частоты входного сигнала.

de

frequenzvervielfacherdiode

en

frequency-multiplication diode

fr

diode pour multiplication de ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

16 генераторный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования энергии постоянного электрического поля в энергию электромагнитных колебаний.

de

produzent halbleiterdiode

en

generation semiconductor diode; generation diode

fr

producteur diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs;
producteur diode

17 импульсный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

de

halbleiterimpulsdiode

en

pulse semiconductor diode; pulse diode

fr

diode d'impulsion

18 коммутационный (полупроводниковый) диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для коммутации высокочастотных цепей.

de

shalten halbleiterdiode

en

switching semiconductor diode;
switching diode

fr

commutation diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs;
commutation diode

19 диод Шоттки: Полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого обоснованы созданием выпрямляющего слоя (барьера) на границе металла и полупроводника.

de

Schottky-diode

en

Schottky barrier diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения Schottky;
diode Schottky

20 варикап: Полупроводниковый диод, действие которого основано на зависимости емкости его p-n перехода от обратного напряжения, предназначенный для применения в качестве элемента с электрически управляемой емкостью.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения;
ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

en

variable-capacitance diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения variable

21 параметрический (полупроводниковый) диод (Нрк. варактор): Варикап, предназначенный для применения в диапазоне сверхвысоких частот в параметрических усилителях.

de

parametrischer halbleiterdiode

en

parametric semiconductor diode; parametric diode

fr

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs; ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

diode

22 шумовой диод: Полупроводниковый диод, являющийся источником шума с заданной спектральной плотностью в определенном диапазоне частот.

de

stichhaltiger diode

en

noise diode

fr

diode bruit

23 туннельный диод: Полупроводниковый диод, имеющий p-n переход, в котором возникает туннельный эффект, приводящий к появлению отрицательной дифференциальной проводимости на определенном участке прямой ветви вольт-амперной характеристики.

de

tunneldiode

en

tunnel diode

fr

diode tunnel

24 обращенный диод: Полупроводниковый диод на основе полупроводника с критической концентрацией примеси, в котором проводимость при обратном напряжении вследствие туннельного эффекта значительно больше, чем при прямом напряжении, а пиковый ток и ток впадины приблизительно равны.

de

unitunneldiode

en

unitunnel diode;
backward diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

25 сверхвысокочастотный полупроводниковый диод; СВЧ-диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования и обработки СВЧ-сигналов.

de

UHF-halbeiteriode

Примечание - СВЧ-сигнал - сигнал с частотой более 300 МГц.

en

microwave diode

fr

diode en ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

26 переключательный диод: Сверхвысокочастотный полупроводниковый диод, предназначенный для быстрого перехода от состояния высокого полного сопротивления к состоянию низкого полного сопротивления и, наоборот, в зависимости от полярности подаваемого напряжения.

de

halbeitererschaltdiode

en

gating diode

fr

diode de commutation

27 точечный диод (Нрк. точечно-контактный диод): Полупроводниковый диод с точечным p-n переходом.

de

halbeiterspitzediode

en

point contact diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения pointe

28 плоскостной диод: Полупроводниковый диод с плоскостным p-n переходом.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

en

junction diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения jonction

29 диод с накоплением заряда: Импульсный полупроводниковый диод, накапливающий заряд при протекании прямого тока и обладающий эффектом резкого обратного восстановления при подаче обратного напряжения.

de

gespeicherte ladung diode

en

snap-off diode

fr

diode charge

30 лавинно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме лавинного размножения носителей заряда при обратном смещении электрического перехода, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

de

lawinenlaufzeitdiode

en

impact avalanche-transit time diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения avalanche ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения temps de transit

31 инжекционно-пролетный диод: Полупроводниковый диод, работающий в режиме инжекции носителей заряда в область запорного слоя, предназначенный для генерации сверхвысокочастотных колебаний.

de

BARITT-diode

en

barrier-injection and transittime diode

fr

diode f ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения temps de transit ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

32 сигнальный диод: Диод, предназначенный для выделения или обработки информации, содержащейся в электрическом сигнале, который изменяется со временем и может быть по виду аналоговым или цифровым.

de

signal diode

en

signal diode

fr

signal diode

33 диод Ганна: Полупроводниковый диод, действие которого основано на появлении отрицательного объемного сопротивления под воздействием сильного электрического поля, предназначенный для генерации и усиления сверхвысокочастотных колебаний.

de

Gunn diode

en

Gunn diode

fr

diode Gunn

34 диод быстровосстанавливающий: Полупроводниковый диод со временем восстановления обратного сопротивления не более 5 нс.

de

hochwiederkehiend diode

en

fast-recovery diode

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определенияГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения rapide

35 модуляторный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для модуляции высокочастотных сигналов.

de

halbleitermodulatordiode

en

modulator diode

fr

diode modulatrice

36 обратный диод: Полупроводниковый диод, предназначенный для защиты тиристорного выпрямителя от перенапряжений обратной полярности, возникающих на нем в течение выключенного состояния за счет переходных процессов в схеме применения.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения diode

Примечание - Обратный диод подключается к выходу тиристорного выпрямителя между основными электродами.

en

reverse diode

fr

inverse diode

37 СВЧ ограничительный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от уровня поданной на диод СВЧ мощности.

Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что позволяет ограничивать (или подавлять) нежелательную СВЧ энергию.

de

mikrowelle begrenzung diode

en

microwave limiting diode

fr

micro-ondes diode limiteuse

38 СВЧ переключательный диод: Полупроводниковый диод с быстрым переходом из состояния высокого полного сопротивления в состояние низкого сопротивления и, наоборот, в зависимости от постоянного напряжения смещения или тока, поданного на диод.

de

mikrowelle schaltdioden

Примечание - При работе на сверхвысоких частотах диод обладает соответственно высоким или низким полным сопротивлением, что обеспечивает либо прохождение СВЧ-сигналов, либо их прерывание.

en

microwave switching diode

fr

micro-ondes diode de commutation

39 (полупроводниковый) стабилитрон (Нрк. Зенеровский диод): Полупроводниковый диод, напряжение на котором сохраняется с определенной точностью при протекании через него тока в заданном диапазоне, и предназначенный для стабилизации напряжения.

de

halbeiter-Z-diode

en

voltage reference diode

fr

diode de tension de ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

40 диодный регулятор напряжения: Полупроводниковый диод, на выводах которого возникает практически постоянное напряжение в заданном диапазоне токов.

de

voltage-regulator diode

en

voltage-regulator diode

fr

la tension ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения diode

41 транзистор: Полупроводниковый прибор, способный создавать усиление электрической мощности и имеющий три или более вывода.

de

transistor

en

transistor

fr

transistor

42 биполярный транзистор: Полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

Примечание - Работа биполярного транзистора зависит от носителей обеих полярностей.

de

bipolarer transistor

en

bipolar junction transistor

fr

transistor bipolaire

43 бездрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством диффузии.

de

diffusiontransistor

en

diffusion transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения diffusion

44 дрейфовый транзистор: Биполярный транзистор, в котором перенос неосновных носителей заряда через базы осуществляется в основном посредством дрейфа.

de

drifttransistor

en

drift transistor

fr

transistor en ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

45 плоскостной транзистор: Биполярный транзистор с плоскостными переходами.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

en

junction transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения jonctions

46 лавинный транзистор: Биполярный транзистор, действие которого основано на использовании режима лавинного размножения носителей заряда в коллекторном переходе.

de

lawinentransistor

en

avalance transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения avalanche

47 биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT транзистор. Нрк. БИМОП транзистор): Биполярный транзистор с управляющей структурой металл-окисел-полупроводник.

de

bipolartransistor gatedielektrikum

en

insulated-gate bipolar transistor

fr

bipolaire ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

48 униполярный транзистор: Транзистор, функционирование которого основано на носителях зарядов одной полярности.

de

unipolarer transistor

en

unipolar transistor

fr

transistor unipolaire

49 полевой транзистор (Нрк. канальный транзистор): Полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены переносом основных носителей заряда, протекающим через канал и управляемый электрическим полем.

de

feldeffekttransistor

Примечание - Действие полевого транзистора обусловлено носителями заряда одной полярности.

en

field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ

50 полевой транзистор с управляющим p-n переходом: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически отделенных от канала p-n переходом, смещенным в обратном направлении.

de

sperrschicht-feldeffekttransistor

en

junction-gate field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения junction de grille

51 полевой транзистор с изолированным затвором: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, электрически изолированных от канала.

de

isolierschicht-feldeffekttransistor; IGFET

en

insulated-gate field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения grille ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

52 N-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости N-типа.

de

N-kanal-feldeffekttranssistor

en

N-channel field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения canal N

53 P-канальный полевой транзистор: Полевой транзистор, у которого канал проводимости P-типа.

de

P-kanal-feldeffekttranssistor

en

P-channel field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения canal P

54 полевой транзистор типа металл-оксид-полупроводник; МОП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и каналом используется оксид.

de

feldeffekttransistor mit metalloxid-halbleiter

en

metal-oxide-semiconductor field effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ metal-oxyde-semiconducteurs

55 полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик-полупроводник; МДП-транзистор: Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом используется диэлектрик.

de

feldeffekttransistor mit metall-halbleiter

en

MIS-transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ metal-semiconducteurs

56 полевой транзистор с барьером Шоттки: Полевой транзистор, имеющий один или несколько затворов, которые выполнены в виде барьерного контакта типа Шоттки.

de

feldeffekttransistor mit SCHOTTKY-barriere

en

field-effect transistor with Schottky barrier

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения de Schottky

57 полевой транзистор обедненного типа: Полевой транзистор, имеющий проводимость канала при нулевом смещении затвор-исток, в котором проводимость канала можно снизить, подавая напряжение затвор-исток необходимой полярности и величины.

de

feldeffekttransistor vom verarmungstyp

en

depletion type field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения appauvrissement

58 полевой транзистор обогащенного типа: Полевой транзистор, имеющий нулевую проводимость при нулевом напряжении затвор-исток, канал которого может стать проводящим при подаче напряжения затвор-исток соответствующей полярности.

de

feldeffekttransistor vom anreicherungstyp

en

enhancement type field-effect transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения enrichissement

59 симметричный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, сохраняющий свои электрические характеристики при взаимной замене в схеме включения выводов эмиттера или истока и коллектора или стока.

de

zweirichtungstransistor; bidirektionaler transistor

en

bidirectional transistor

fr

transistor bidirectionnel

60 переключательный биполярный [полевой] транзистор: Биполярный [полевой] транзистор, обладающий сравнительно большим электрическим сопротивлением в закрытом состоянии и минимальным - в открытом, способный переходить из одного состояния в другое за короткий интервал времени.

de

feldeffekt bipolarer-schalttransistor; feldeffekt-schalttransistor

en

field-effect bipolar switching transistor;

field-effect switching transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения commutation bipolaire ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения effet de champ;
transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения commutation bipolaire

61 тетродный транзистор: Четырехэлектродный транзистор, имеющий два отдельных базовых электрода и два базовых вывода.

de

transistortetrode

en

tetrode transistor

fr

transistor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

62 тиристор: Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или более перехода, который переключается из закрытого состояния в открытое и наоборот.

de

thyristor

en

thyristor

fr

thyristor

63 диодный тиристор (динистор): Тиристор, имеющий два вывода, через которые протекает как основной ток, так и ток управления.

de

thyristordiode

en

diode thyristor

fr

thyristor diode

64 диодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения sperrende thyristordiode

en

reverse blocking diode thyristor

fr

thyristor diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения en inverse

65 диодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Диодный тиристор, который при обратном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения leitende thyristordiode

en

reverse conducting diode thyristor

fr

thyristor diode passant en inverse

66 симметричный диодный тиристор (диак): Диодный тиристор, который переключается как в прямом, так и в обратном направлениях.

de

zweirichtungs-thyristor-diode; doppeltgerichtete thyristordiode; diac

en

bidirectional diode thyristor; diac

fr

thyristor diode bidirectionnel; diac

67 триодный тиристор (тринистор): Тиристор, имеющий три вывода: два основных и один управляющий.

de

thyristortriode

en

triode thyristor

fr

thyristor triode

68 триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при обратном напряжении на аноде не переключается, а находится в обратном непроводящем состоянии.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения sperrende thyristortriode

en

reverse blocking triode thyristor

fr

thyristor triode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения en inverse

69 триодный тиристор, проводящий в обратном направлении: Триодный тиристор, который при отрицательном анодном напряжении не переключается, а проводит большие токи при напряжениях, сравнимых по значению с прямым напряжением в открытом состоянии.

de

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения leitende thyristortriode

en

reverse conducting triode thyristor

fr

thyristor triode passant en inverse

70 симметричный триодный тиристор (триак): Триодный тиристор, который при подаче сигнала на его управляющий вывод включается как в прямом, так и в обратном направлениях.

de

zweirichtungs-thyristortriode; triac

en

bidirectional triode thyristor; triac

fr

thyristor triode bidirectionnel; triac

71 запираемый тиристор: Тиристор, который переключается из открытого состояния в закрытое и, наоборот, путем подачи на управляющий вывод управляющих сигналов соответствующей полярности.

de

ausschaltthyristor;
GTO-thyristor

en

turn-off thyristor

fr

thyristor blocable

72 тиристор с инжектирующим управляющим электродом p-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с p-областью, ближайшей к катоду, который переводится в открытое состояние путем подачи на управляющий вывод положительного по отношению к катоду сигнала.

de

kathodenseitig steuerbarer thyristor

en

P-gate thyristor

fr

thyristor P

73 тиристор с инжектирующим управляющим электродом n-типа: Тиристор, у которого управляющий электрод соединен с n-областью, ближайшей к аноду, который переводится в открытое состояние при подаче на управляющий вывод отрицательного по отношению к аноду сигнала.

de

anodenseitig steuerbarer thyristor

en

N-gate thyristor

fr

thyristor N

74 лавинный триодный тиристор, не проводящий в обратном направлении; лавинный тиристор: Тиристор с заданными характеристиками в точке минимального напряжения пробоя, предназначенный для рассеивания в течение ограниченной длительности импульса мощности в области пробоя вольт-амперной характеристики обратного непроводящего состояния.

de

lawine reverse ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

en

avalanche reverse blocking triode thyristor

fr

thyristor triode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения avalanche ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения en inverse

75 несимметричный тиристор: Триодный тиристор с обратной блокировкой, номинальное обратное напряжение которого ниже номинального напряжения в закрытом состоянии.

de

asymmetrischer thyristor

en

asymmetrical thyristor

fr

thyristor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

76 комбинированно-выключаемый тиристор: Тиристор, выключаемый с помощью тока управления при одновременном воздействии обратного анодного напряжения.

de

gemischte-ausschalten thyristor

en

mixed-off thyristor

fr

thyristor ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

77 импульсный тиристор: Тиристор, имеющий малую длительность переходных процессов и предназначенный для применения в импульсных режимах работы.

de

impuls thyristor

en

pulsed thyristor

fr

thyristor signal

78 оптоэлектронный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, излучающий или преобразующий электромагнитное излучение или чувствительный к этому излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра, или использующий подобное излучение для внутреннего взаимодействия его элементов.

de

optoelektronisches halbleiterbauelement

en

optoelectronic device

fr

dispositif ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

79 (полупроводниковый) излучатель: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий электрическую энергию в энергию электромагнитного излучения.

de

halbleiterstrahler

en

semicondictor photocoupler radiator

fr

radiator ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs

80 оптоэлектронный дисплей: Полупроводниковый излучатель, предназначенный для отображения визуальной информации.

de

optoelektronische displays

en

optoelectronic display

fr

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения affichage

81

полупроводниковый (знакосинтезирующий) индикатор: Активный знакосинтезирующий индикатор, в котором используется явление инжекционной электролюминесценции.

[ГОСТ 25066-91, статья 15]

de

halbleiter-zeichen-display

en

semiconductor character display

fr

semiconducteurs de ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения d'affichage

82 (полупроводниковый) приемник излучения: Оптоэлектронный полупроводниковый прибор, преобразующий энергию электромагнитного излучения в электрическую энергию от излучателя и работающего в паре с ним.

de

der ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения strahlung optokoppler

en

receiver radiation photocoupler

fr

le ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения radiation optocoupler

83 светоизлучающий диод; СИД: Полупроводниковый диод, излучающий энергию в видимой области спектра в результате электрической стимуляции и рекомбинации электронов и дырок.

de

lichtemittierende diode; LED

en

light-emitting diode; LED

fr

diode ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения; DEL

84 полупроводниковый экран: Полупроводниковый прибор, предназначенный для использования в устройствах отображения информации и состоящий из светоизлучающих диодов, расположенных рядами по вертикали и горизонтали экрана.

de

halbleiter-analoge anzeige

en

semiconductor analog indicator

fr

semiconducteurs analogiques en dicator

85 инфракрасный излучающий диод; ИК-диод: Светоизлучающий диод, который испускает инфракрасное излучение.

de

infrarotemittierende diode; IRED

en

infrared-emitting diode

fr

diode infrarouge

86 полупроводниковый лазер: Полупроводниковый прибор, который излучает энергию когерентного излучения с помощью индуцированной эмиссии за счет рекомбинации электронов и дырок.

de

halbleiter-laser

en

semiconductor laser

fr

laser ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteurs

87 лазерный диод: Полупроводниковый диод, который излучает когерентное оптическое излучение, являющееся результатом рекомбинации проводящих электронов и дырок при возбуждении электрическим током, превышающим пороговое значение тока диода.

de

lazerdiode

en

laser diode

fr

diode laser

88 лазерно-диодный модуль: Модуль, содержащий наряду с лазерным диодом средства для автоматической оптической и (или) тепловой стабилизации выходного источника излучения.

de

laser-dioden modul

en

laser-diode module

89

fr

laser ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения diode module

фоточувствительный полупроводниковый прибор: Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра.

[ГОСТ 21934-83, статья 1]

de

lichtempfindliche ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения halbleiterdiode

en

semiconductor photosensitive device

fr

photosensible appareil emiconducteurs

90 (полупроводниковый) фотоэлектрический детектор: Полупроводниковый фоточувствительный прибор, электрическое сопротивление (проводимость) которого изменяется при освещении.

de

photoelektrischer ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

en

semiconductor photoelectric detector;
photoelectric detector

fr

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения semiconducteur;
ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

91

Доступ к полной версии этого документа ограничен

Текст документа вы можете получить на ваш адрес электронной почты, заказав бесплатную демонстрацию систем «Кодекс» и «Техэксперт».

Что вы получите:

После завершения процесса оплаты вы получите доступ к полному тексту документа, возможность сохранить его в формате .pdf, а также копию документа на свой e-mail. На мобильный телефон придет подтверждение оплаты.

При возникновении проблем свяжитесь с нами по адресу uwt@kodeks.ru

ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Название документа: ГОСТ Р 57436-2017 Приборы полупроводниковые. Термины и определения

Номер документа: 57436-2017

Вид документа: ГОСТ Р

Принявший орган: Росстандарт

Статус: Действующий

Опубликован: Официальное издание. М.: Стандартинформ, 2017 год
Дата принятия: 04 апреля 2017

Дата начала действия: 01 августа 2017
Информация о данном документе содержится в профессиональных справочных системах «Кодекс» и «Техэксперт»
Узнать больше о системах