Статус документа
Статус документа


ГОСТ 4.64-80

     
Группа Т51


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР


Система показателей качества продукции

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Номенклатура показателей

Product-quality index system. Semiconductor materials.
Nomenclature of indices



Дата введения  1981-07-01

ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059

ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).


Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ


Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.

Таблица 1

Показатель качества и единица измерения

Условное обозначение показателя качества

Характеризуемое свойство

1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см


Электрофизическое свойство

1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см




1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см




1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см




2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, %


Электрофизическое свойство

3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %


Электрофизическое свойство

4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %


Электрофизическое свойство

5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка


Кристаллографическое свойство

6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, °


Кристаллографическое свойство

7. Концентрация атомов оптически активных примесей, см


Химический состав

7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см




7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см




8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка


-

8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм




8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм




8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм




9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм


-

10. Длина монокристаллического слитка, мм


-

11. Плотность дислокаций, см


Структурное совершенство

12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм



Электрофизическое свойство

13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра


Структурное совершенство

14. Концентрация основных несителей заряда, см


Электрофизическое свойство

15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, %


Электрофизическое свойство

16. Подвижность основных носителей заряда, см/(В.с)


Электрофизическое свойство

17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы)


-

18. Внутренние дефекты


Структурное совершенство

18.1. Раковины, трещины



18.2. Наличие второй фазы



18.3. Наличие двойниковых границ



18.4. Наличие свирл-дефектов





Примечания:

1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.

3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА


Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.

Таблица 2

Кремний монокристаллический

Доступ к полной версии документа ограничен
Полный текст этого документа доступен на портале с 20 до 24 часов по московскому времени 7 дней в неделю.
Также этот документ или информация о нем всегда доступны в профессиональных справочных системах «Техэксперт» и «Кодекс».
Нужен полный текст и статус документов ГОСТ, СНИП, СП?
Попробуйте «Техэксперт: Лаборатория. Инспекция. Сертификация» бесплатно
Реклама. Рекламодатель: Акционерное общество "Информационная компания "Кодекс". 2VtzqvQZoVs