• Текст документа
  • Статус
  • Сканер копия
Действующий


ГОСТ 4.64-80


Группа Т51


ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР


Система показателей качества продукции

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Номенклатура показателей

Product-quality index system. Semiconductor materials.
Nomenclature of indices



Дата введения 1981-07-01

ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059

ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).


Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.

Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.

1. НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ


Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.

Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.

Таблица 1

Показатель качества и единица измерения

Условное обозначение показателя качества

Характеризуемое свойство

1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см


Электрофизическое свойство

1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, %

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, %

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Кристаллографическое свойство

6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, °

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Кристаллографическое свойство

7. Концентрация атомов оптически активных примесей, смГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Химический состав

7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, смГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, смГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка


-

8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, ммГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)


9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

-

10. Длина монокристаллического слитка, мм

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

-

11. Плотность дислокаций, смГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Структурное совершенство

12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)
ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Структурное совершенство

14. Концентрация основных несителей заряда, смГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, %

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

16. Подвижность основных носителей заряда, смГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)/(В.с)

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Электрофизическое свойство

17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы)


-

18. Внутренние дефекты


Структурное совершенство

18.1. Раковины, трещины



18.2. Наличие второй фазы



18.3. Наличие двойниковых границ



18.4. Наличие свирл-дефектов





Примечания:

1. Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.

2. В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.

В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.

Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.

3. Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".

(Измененная редакция, Изм. N 1).

2. ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА


Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.

Таблица 2

Кремний монокристаллический

Номер показателя качества

Кремний моно- кристал- лический для полупро- водниковых приборов и микросхем

Кремний моно- кристал- лический для эпитак- сиальных структур

Кремний моно- кристал- лический для силовой полупро- водниковой техники

Кремний монокристал- лический для фотоприем- ников

Кремний монокристал- лический для источников тока

Кремний монокристал- лический для детекторов ядерных излучений

Кремний монокристал- лический водородный

1

+

+

+

+

+

+

+

2

+

+

+

-

-

+

+

3

+

+

+

±

-

-

-

4

+

+

±

±

-

-

-

5

+

+

+

+

+

+

+

6

+

+

+

+

-

+

+

7.1

+

+

+

+

-

+

+

7.2

±

±

-

-

-

-

-

8

+

+

+

+

+

+

+

9

+

+

±

-

-

±

-

10

+

+

+

+

+

+

+

11

+

+

+

+

-

+

+

12

±

±

+

+

+

+

+

13

-

-

±

-

-

±

+

17

+

+

+

+

+

+

+

18.1

+

+

+

+

+

+

+

18.4

±

±

-

-

-

±

-



Таблица 3

Германий монокристаллический

Номер показателя качества

Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур

Германий монокристаллический для оптоэлектроники

Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии

1

+

+

±

±

2

±

±

-

±

3

±

±

-

±

4

+

+

-

-

5

+

+

+

+

6

-

-

-

±

8

+

+

+

+

9

±

±

±

±

10

+

+

+

+

11

±

+

±

+

12

±

-

-

+

13

±

±

-

-

14

-

-

-

±

16

±

±

-

±

17

+

+

+

+

18.1

+

+

+

+

18.2

±

-

-

±

18.3

+

+

+

+



Таблица 4

Антимонид индия монокристаллический

Номер показателя качества

Антимонид индия для полупроводниковых приборов

Антимонид индия для эпитаксиальных структур

1

±

-

5

+

+

6

±

+

8

+

+

10

±

+

11

+

+

12

±

-

13

-

+

14

+

+

15

-

+

16

+

+

17

+

+

18

+

+



Таблица 5

Арсенид галлия монокристаллический

Номер показателя качества

Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур

Арсенид галлия для источников тока

1

±

-

5

+

+

6

+

+

8

+

+

9

+

-

10

+

+

11

+

+

14

+

+

15

+

-

16

+

-

17

+

+

18

±

±



Таблица 6

Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические

Номер показателя качества

Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур

1

±

-

±

5

+

+

+

6

+

+

+

8

+

+

+

9

+

+

+

10

+

+

+

11

+

+

+

12

-

-

+

13

-

+

+

14

+

+

-

15

+

-

-

16

+

-

+

17

+

+

+

18

±

±

±



Примечание к табл.2-6. Знак "+" обозначает применение показателя качества, знак "-" обозначает неприменение показателя качества, знак "±" обозначает ограниченное применение показателя.

(Измененная редакция, Изм. N 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 1 (справочное)

ПРИЛОЖЕНИЕ 1
Справочное

Наименование продукции

Код ОКП

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для полупроводниковых приборов и микросхем

17 7211

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для силовой полупроводниковой техники

17 7212

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для эпитаксиальных структур

17 7213

Кремний монокристаллический, полученный методом Чохральского, для источников тока

17 7215

Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для полупроводниковых приборов и микросхем

17 7221

Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для силовой полупроводниковой техники

17 7222

Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для фотоприемников

17 7224

Кремний монокристаллический, полученный методом бестигельной зонной плавки, для детекторов ядерных излучений

17 7226

Кремний монокристаллический водородный

17 72211000

Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем

17 7441

Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур

17 7443

Германий монокристаллический для оптоэлектроники

17 7444

Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии

17 7447

Антимонид индия монокристаллический

17 7532

Арсенид галлия монокристаллический

17 7512

Фосфид галлия монокристаллический

17 7542

Арсенид индия монокристаллический

17 7522

Фосфид индия монокристаллический

17 7552



(Введено дополнительно, Изм. N 1).

ПРИЛОЖЕНИЕ 2 (справочное). АЛФАВИТНЫЙ ПЕРЕЧЕНЬ показателей качества полупроводниковых материалов

ПРИЛОЖЕНИЕ 2
Справочное

     показателей качества полупроводниковых материалов

Наименование показателя качества

Номер показателя качества

Время жизни неравновесных носителей заряда

12

Дефекты внешние

17

Дефекты внутренние

18

Диаметр монокристаллического слитка

8.1

Длина малоугловых границ суммарная

13

Длина монокристаллического слитка

10

Длина диффузионная

12

Значение удельного электрического сопротивления номинальное

1.1

Интервал значений удельного электрического сопротивления

1.3

Интервал номинальных значений диаметров

8.2

Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления

1.2

Концентрация атомов оптически активных примесей

7

Концентрация атомов оптически активного кислорода

7.1

Концентрация атомов оптически активного углерода

7.2

Концентрация основных носителей заряда

14

Наличие второй фазы

18.2

Наличие двойных границ

18.3

Наличие свирл-дефектов

18.4

Ориентация продольной оси монокристаллического слитка

5

Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения

9

Отклонение относительное от номинального значения концентрации основных носителей заряда

15

Отклонение плоскости торцевого среза от плоскости ориентации

6

Отклонение относительное средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления

4

Отклонение относительное удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка

2

Отклонение относительное радиальное удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка

3

Плотность дислокаций

11

Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка

8.3

Подвижность основных носителей заряда

16

Раковины

17; 18.1

Сколы

17

Сопротивление удельное электрическое

1

Характеристика геометрическая поперечного сечения монокристаллического слитка

8


(Введено дополнительно, Изм.N 1).



Текст документа сверен по:
официальное издание
М.: Издательство стандартов, 1985

ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Название документа: ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Номер документа: 4.64-80

Вид документа: ГОСТ

Принявший орган: Госстандарт СССР

Статус: Действующий

Опубликован: М.: Издательство стандартов, 1985 год

официальное издание

Дата принятия: 12 мая 1980

Дата начала действия: 01 июля 1981
Дата редакции: 01 февраля 1985
ГОСТ 4.64-80 Система показателей качества продукции (СПКП). Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)
Данный документ представлен в виде сканер копии, которую вы можете скачать в формате или
Информация о данном документе содержится в профессиональных справочных системах «Кодекс» и «Техэксперт»
Узнать больше о системах