ГОСТ 2.730-73
Группа Т52
МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
Единая система конструкторской документации
ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ
Приборы полупроводниковые
Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices
МКС 01.080.40
31.080
Дата введения 1974-07-01
ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ
1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002
3. Соответствует СТ СЭВ 661-88
4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68, ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы
5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)
1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.
(Измененная редакция, Изм. N 3).
2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.
Таблица 1
Наименование | Обозначение |
1. (Исключен, Изм. N 2). |
|
2. Электроды: |
|
база с одним выводом | |
база с двумя выводами |
|
Р-эмиттер с N-областью |
|
N-эмиттер с P-областью |
|
несколько Р-эмиттеров с N-областью |
|
несколько N-эмиттеров с P-областью |
|
коллектор с базой |
|
несколько коллекторов, например, четыре коллектора на базе |
|
3. Области: |
|
область между проводниковыми слоями с различной электропроводностью |
|
Переход от Р-области к N-области и наоборот |
|
область собственной электропроводности (I-область): |
|
1) между областями с электропроводностью разного типа PIN или NIP |
|
2) между областями с электропроводностью одного типа PIP или NIN |
|
3) между коллектором и областью с противоположной электропроводностью PIN или NIP |
|
4) между коллектором и областью с электропроводностью того же типа PIP или NIN |
|
4. Канал проводимости для полевых транзисторов: |
|
обогащенного типа | |
обедненного типа | |
5. Переход PN |
|
6. Переход NP |
|
7. Р-канал на подложке N-типа, обогащенный тип |
|
8. N-канал на подложке P-типа, обедненный тип |
|
9. Затвор изолированный | |
10. Исток и сток |
|
Примечание. Линия истока должна быть изображена на продолжении линии затвора, например: |
|
11. Выводы полупроводниковых приборов: |
|
электрически не соединенные с корпусом |
|
электрически соединенные с корпусом |
|
12. Вывод корпуса внешний. Допускается в месте присоединения к корпусу помещать точку |
|
(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).
3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).
5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.
Таблица 4
Наименование | Обозначение |
1. Эффект туннельный |
|
а) прямой | |
б) обращенный | |
2. Эффект лавинного пробоя: |
|
а) односторонний | |
б) двухсторонний | |
3-8. (Исключены, Изм. N 2). |
|
9. Эффект Шоттки |
6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.
Таблица 5
Попробуйте «Техэксперт: Базовые нормативные документы» бесплатно